[发明专利]砷化镓晶体和砷化镓晶体基板

权利要求书

1.一种砷化镓晶体，其中

所述砷化镓晶体的蚀坑密度为10个·cm^-2以上且10000个·cm^-2以下，并且

所述砷化镓晶体的氧浓度小于7.0×10¹⁵原子·cm^-3。

2.根据权利要求1所述的砷化镓晶体，其中所述氧浓度为2.0×10¹⁴原子·cm^-3以上且5.0×10¹⁵原子·cm^-3以下。

3.根据权利要求1或2所述的砷化镓晶体，其包含具有圆柱形状的直体部，其中所述直体部的直径为100mm以上且305mm以下。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的砷化镓晶体，其中所述砷化镓晶体的n型导电性杂质浓度为1.0×10¹⁵原子·cm^-3以上且1.0×10²⁰原子·cm^-3以下。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的砷化镓晶体，其中所述砷化镓晶体的比电阻为1.2×10⁷Ω·cm以上且5.0×10⁸Ω·cm以下。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的砷化镓晶体，其中所述砷化镓晶体的硼浓度为1.0×10¹⁹原子·cm^-3以下。

7.一种砷化镓晶体基板，其中

所述砷化镓晶体基板的蚀坑密度为10个·cm^-2以上且10000个·cm^-2以下，并且

所述砷化镓晶体基板的氧浓度小于7.0×10¹⁵原子·cm^-3。

8.根据权利要求7所述的砷化镓晶体基板，其中所述氧浓度为2.0×10¹⁴原子·cm^-3以上且5.0×10¹⁵原子·cm^-3以下。

9.根据权利要求7或8所述的砷化镓晶体基板，其中所述砷化镓晶体基板的直径为100mm以上且305mm以下。

10.根据权利要求7至9中任一项所述的砷化镓晶体基板，其中所述砷化镓晶体基板的n型导电性杂质浓度为1.0×10¹⁵原子·cm^-3以上且1.0×10²⁰原子·cm^-3以下。

11.根据权利要求7至9中任一项所述的砷化镓晶体基板，其中所述砷化镓晶体基板的比电阻为1.2×10⁷Ω·cm以上且5.0×10⁸Ω·cm以下。

12.根据权利要求7至11中任一项所述的砷化镓晶体基板，其中所述砷化镓晶体基板的硼浓度为1.0×10¹⁹原子·cm^-3以下。

13.一种砷化镓晶体基板，其中

所述砷化镓晶体基板的蚀坑密度为10个·cm^-2以上且10000个·cm^-2以下，

所述砷化镓晶体基板的氧浓度为2.0×10¹⁴原子·cm^-3以上且5.0×10¹⁵原子·cm^-3以下，

所述砷化镓晶体基板的硼浓度为1.0×10¹⁹原子·cm^-3以下，且

所述砷化镓晶体基板的直径为100mm以上且305mm以下。