[发明专利]具有深源接触的功率MOSFET

权利要求书

1.一种集成电路即IC，其包括：

半导体衬底，其具有顶部表面和底部表面；以及

至少一个金属氧化物半导体场效应晶体管单元即MOSFET单元，其形成在所述半导体衬底中的，所述MOSFET单元包括MOSFET器件对，其在共用的漏极接触处彼此耦合，其中，所述至少一个MOSFET器件包括源极接触沟槽即SCT沟槽，其延伸到邻近所述底部表面的所述半导体衬底中的衬底接触区中，所述SCT沟槽具有沿着所述顶部表面的长度，其小于所述至少一个MOSFET器件的多晶硅栅极的线性部分，所述SCT沟槽与具有曲线布局几何结构的所述多晶硅栅极的互补轮廓对准。

2.根据权利要求1所述的IC，还包括MOSFET单元的阵列，其中所述阵列的外部单元包括外部MOSFET器件和形成在所述半导体衬底中的非有效电路部分。

3.根据权利要求2所述IC，其中，所述外部MOSFET器件包括具有沿着所述顶部表面的第二长度的第二多晶硅栅极，并且所述第二长度比所述至少一个MOSFET器件的所述多晶硅栅极的长度短。

4.根据权利要求2所述的IC，所述外部MOSFET器件包括具有沿着所述顶部表面的第二长度的第二多晶硅栅极，并且所述第二长度与所述至少一个MOSFET器件的所述多晶硅栅极的长度相同。

5.根据权利要求2所述的IC，其进一步包括耦合到所述外部MOSFET器件的场板的接地突片。

6.根据权利要求5所述的IC，其中所述场板包括由从钛、氮化钛即Ti/TiN、钨和Ti-钨即Ti-W组成的组中选择的材料形成的至少一个难熔金属材料层。

7.根据权利要求1所述的IC，所述SCT沟槽具有至少为2：1的纵横比。

8.根据权利要求1所述的IC，所述SCT沟槽填充有金属插塞，其包括难熔金属或铂族金属填充物即PGM填充物，用于形成与所述至少一个MOSFET器件的源极端子的电接触。

9.一种横向扩散金属氧化物半导体晶体管器件即LDMOS器件，其包括：

具有顶部表面和底部表面的半导体衬底，所述半导体衬底具有邻近所述顶部表面且具有上表面的掺杂层；

第一导电类型的源极区和漏极区，所述第一导电类型的源极区和漏极区被定位在所述掺杂层中接近所述掺杂层的所述上表面，所述源极区和所述漏极区彼此间隔开并且通过形成在所述掺杂层中的第二导电类型的沟道区分离，所述沟道区具有在所述源极区下方延伸的一部分，其中所述漏极区包括邻近所述沟道区形成的轻掺杂漏极区即LDD区；

掺杂漏极接触区，所述掺杂漏极接触区通过所述轻掺杂漏极区与所述沟道区间隔开；

具有上表面和侧壁表面的导电栅极，所述导电栅极形成在栅极电介质层上方，所述栅极电介质层形成在所述沟道区上方，所述导电栅极与所述源极区和所述漏极区至少部分地重叠；

导电路径，所述导电路径经由设置在源极接触沟槽即SCT沟槽中的导体连接所述源极区和所述半导体衬底，所述SCT沟槽形成于所述掺杂层中并延伸到所述半导体衬底中的衬底接触区中，所述SCT沟槽具有沿所述顶部表面的长度，其小于所述导电栅极的线性部分，所述SCT沟槽与具有曲线几何结构的所述导电栅极的互补轮廓对准；

第一绝缘层，所述第一绝缘层在所述导电栅极的所述上表面和所述侧壁表面上方；

场板，所述场板形成在所述轻掺杂漏极区和所述第一绝缘层的至少一部分的上方，其中所述场板连接到所述源极区；

第二绝缘层，所述第二绝缘层在场板层、所述第一绝缘层和所述SCT沟槽上方；以及

漏电极，所述漏电极电耦合到所述漏极接触区。

10.根据权利要求9所述的LDMOS器件，其中所述SCT沟槽具有至少为2：1的纵横比。