[发明专利]用于制造环绕式接触部的金属化学气相沉积方法和结果得到的结构

权利要求书

1.一种集成电路结构，包括：

在衬底上方的半导体特征；

在所述半导体特征之上的介电层，所述介电层具有暴露半导体特征的一部分的沟槽，所述部分具有非平坦形貌；以及

直接在半导体特征的所述部分上的金属接触部材料，所述金属接触部材料与半导体特征的所述部分的非平坦形貌共形，并且所述金属接触部材料具有包括95%或更大的单金属种类的总原子组成。

2.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中所述金属接触部材料具有包括98%或更大的钛的总原子组成。

3.根据权利要求2所述的集成电路结构，其中金属接触部材料的总原子组成此外包括0.5-2%的氯。

4.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中所述金属接触部材料具有沿着半导体特征的所述部分的非平坦形貌的30%或更少的厚度变化。

5.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中所述半导体特征的所述部分的非平坦形貌包括经抬高的中央部分以及较低的侧边部分。

6.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中所述半导体特征的所述部分的非平坦形貌包括鞍形的部分。

7.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中所述半导体特征包括硅。

8.根据权利要求7所述的集成电路结构，其中所述半导体特征此外包括锗。

9.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中所述金属接触部材料此外沿着介电层中的沟槽的侧壁，并且其中沿着沟槽的侧壁的金属接触部材料的厚度从半导体特征的所述部分向半导体特征的所述部分上方的位置变薄。

10.根据权利要求9所述的集成电路结构，此外包括：

在沟槽内的金属接触部材料上的导电填充材料。

11.一种集成电路结构，包括：

在衬底上方的半导体鳍，所述半导体鳍具有顶部和侧壁；

在所述顶部之上并且与半导体鳍的一部分的侧壁相邻的栅极电极，所述栅极电极在半导体鳍中限定沟道区；

在栅极电极的第一侧处的沟道区的第一端处的第一半导体源极/漏极结构，所述第一半导体源极/漏极结构具有非平坦形貌；

在栅极电极的第二侧处的沟道区的第二端处的第二半导体源极/漏极结构，所述第二端与第一端相对，所述第二侧与第一侧相对，所述第二半导体源极/漏极结构具有非平坦形貌；以及

直接在第一半导体源极/漏极结构上并且直接在第二半导体源极/漏极结构上的金属接触部材料，所述金属接触部材料与第一半导体源极/漏极结构的非平坦形貌共形并且与第二半导体源极/漏极结构的非平坦形貌共形，并且所述金属接触部材料具有包括95%或更大的单金属种类的总原子组成。

12.根据权利要求11所述的集成电路结构，其中所述金属接触部材料具有包括98%或更大的钛的总原子组成。

13.根据权利要求12所述的集成电路结构，其中金属接触部材料的总原子组成此外包括0.5-2%的氯。

14.根据权利要求11所述的集成电路结构，其中所述金属接触部材料具有沿着第一半导体源极/漏极结构的非平坦形貌以及沿着第二半导体源极/漏极结构的非平坦形貌的30%或更少的厚度变化。

15.根据权利要求11所述的集成电路结构，其中所述第一半导体源极/漏极结构的非平坦形貌以及第二半导体源极/漏极结构的非平坦形貌二者包括经抬高的中央部分以及较低的侧边部分。

16.根据权利要求11所述的集成电路结构，其中所述第一半导体源极/漏极结构的非平坦形貌以及第二半导体源极/漏极结构的非平坦形貌二者包括鞍形部分。