[发明专利]高频滤波器、多工器、高频前端电路以及通信装置

权利要求书

1.一种高频滤波器，具备：

串联臂电路，其设置在将第一输入输出端子与第二输入输出端子连结的路径上；以及

并联臂电路，其与地及所述路径上的节点连接，

其中，所述并联臂电路具有：

第一并联臂谐振器；

第一频率可变电路，其与所述第一并联臂谐振器串联连接；以及

第二并联臂谐振器，其与将所述第一并联臂谐振器与所述第一频率可变电路串联连接而成的电路并联连接，

所述第一频率可变电路具有：

第三并联臂谐振器；以及

第一开关，其与所述第三并联臂谐振器并联连接，

所述第一频率可变电路通过所述第一开关的接通和断开的切换来对所述高频滤波器的通带的频率和衰减极点的频率进行切换，

所述第一并联臂谐振器的谐振频率与所述第二并联臂谐振器的谐振频率互不相同，

所述第一并联臂谐振器的反谐振频率与所述第二并联臂谐振器的反谐振频率互不相同，

所述第三并联臂谐振器的谐振频率比所述第一并联臂谐振器的谐振频率和所述第二并联臂谐振器的谐振频率都高。

2.根据权利要求1所述的高频滤波器，其特征在于，

所述第一并联臂谐振器的谐振频率比所述第二并联臂谐振器的谐振频率低，

所述第一并联臂谐振器的反谐振频率比所述第二并联臂谐振器的反谐振频率低。

3.根据权利要求1所述的高频滤波器，其特征在于，

所述第一并联臂谐振器的谐振频率比所述第二并联臂谐振器的谐振频率高，

所述第一并联臂谐振器的反谐振频率比所述第二并联臂谐振器的反谐振频率高。

4.根据权利要求2所述的高频滤波器，其特征在于，

所述并联臂电路还具有与所述第二并联臂谐振器串联连接的第二开关，

将所述第二并联臂谐振器与所述第二开关串联连接而成的电路与将所述第一并联臂谐振器与所述第一频率可变电路串联连接而成的电路并联连接。

5.根据权利要求4所述的高频滤波器，其特征在于，

所述并联臂电路还具有第四并联臂谐振器，所述第四并联臂谐振器与所述第二开关并联连接，与该第二开关一起构成第二频率可变电路，

所述第二频率可变电路与所述第二并联臂谐振器串联连接，并且通过所述第二开关的接通和断开的切换来对所述高频滤波器的通带的频率和衰减极点的频率进行切换，

所述第四并联臂谐振器的谐振频率比所述第一并联臂谐振器的谐振频率和所述第二并联臂谐振器的谐振频率都高。

6.根据权利要求1~5中的任一项所述的高频滤波器，其特征在于，

所述第一并联臂谐振器、所述第二并联臂谐振器以及所述第三并联臂谐振器分别是具有IDT电极的弹性波谐振器，所述IDT电极由形成在至少局部地具有压电性的基板上的多个电极指构成。

7.根据权利要求6所述的高频滤波器，其特征在于，

所述第三并联臂谐振器的所述多个电极指的膜厚比所述第一并联臂谐振器和所述第二并联臂谐振器中的至少一方的所述多个电极指的膜厚薄。

8.根据权利要求6所述的高频滤波器，其特征在于，

所述第一并联臂谐振器和所述第二并联臂谐振器中的至少一方的所述多个电极指包括由从Au、Pt、Ta、Mo及W中选择的1个以上的高密度金属构成的高密度金属层，

所述第三并联臂谐振器的所述多个电极指不包括所述高密度金属层，或者包括膜厚比所述第一并联臂谐振器和所述第二并联臂谐振器中的至少一方的所述多个电极指所包括的所述高密度金属层的膜厚薄的所述高密度金属层。

9.根据权利要求8所述的高频滤波器，其特征在于，

所述第一并联臂谐振器和所述第二并联臂谐振器中的至少一方的所述多个电极指包括低密度金属层与所述高密度金属层的层叠体，所述低密度金属层由密度比所述高密度金属的密度小的低密度金属构成。