[发明专利]半导体装置的制造方法、基板处理装置及程序

说明书

具有以下工序：将表面形成有含有硅氮烷键的膜的基板加热至第一温度，并对基板供给含有过氧化氢的第一处理气体，从而对含有硅氮烷键的膜进行改性的第一工序；以及，在第一工序之后，将基板加热至比第一温度高的第二温度，并对基板供给含有过氧化氢的第二处理气体，从而对含有硅氮烷键的膜进行改性的第二工序。

技术领域

本发明涉及半导体装置的制造方法、基板处理装置及程序。

背景技术

作为半导体装置的制造工序的一个工序，有时要进行基板处理工序，即，通过对于基板供给含有过氧化氢的处理气体，对在基板表面所形成的膜进行处理(例如，参见专利文献1、2)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2014/069826号

专利文献2：国际公开第2013/070343号

发明内容

发明要解决的课题

本发明的目的在于提供一种技术，能够提高使用过氧化氢来进行的基板处理的品质。

解决课题的方法

根据本发明的一个实施方式，提供一种技术，其具有：

将表面形成有含有硅氮烷键的膜的基板加热至第一温度，并通过对于上述基板供给含有过氧化氢的第一处理气体，来对上述含有硅氮烷键的膜进行改性的第一工序，和

在上述第一工序之后，将上述基板加热至比上述第一温度高的第二温度，并对于上述基板供给含有过氧化氢的第二处理气体，来对上述含有硅氮烷键的膜进行改性的第二工序。

发明效果

根据本发明，能够提高使用过氧化氢来进行的基板处理的品质。

附图说明

[图1]是适合于本发明的一个实施方式中使用的基板处理装置的纵型处理炉的概略构成图，是以纵截面图显示处理炉部分的图。

[图2]是适合于本发明的一个实施方式中使用的基板处理装置的控制器的概略构成图，是以框图显示控制器的控制系统的图。

[图3](a)、(b)分别是显示事前处理工序的一例的流程图。

[图4]是显示事前处理工序之后实施的基板处理工序的一例的流程图。

[图5]是显示基板处理工序中的温度控制的一例的流程图。

[图6](a)～(c)分别是显示基板处理工序中的温度控制的变形例的流程图。

[图7]是显示改性处理后的膜中所含的氮浓度的测定结果的图。

具体实施方式

＜本发明的一个实施方式＞

以下，使用图1～2、图3(a)、图4～5对于本发明的一个实施方式进行说明。

(1)基板处理装置的构成

如图1所示，处理炉202具有反应管203。反应管203由例如石英(SiO₂)、碳化硅(SiC)等耐热性材料构成，构成为上端具有气体供给接口203p，下端具有炉口(开口)的圆筒部件。在反应管203的筒中空部形成处理室201。处理室201构成为能够容纳多片作为基板的晶圆200。