[发明专利]用于自动化动态字线开始电压的设备与方法有效
申请号: | 201780088421.6 | 申请日: | 2017-03-21 |
公开(公告)号: | CN110431526B | 公开(公告)日: | 2023-09-29 |
发明(设计)人: | D·斯里尼瓦桑;J·M·蔡;A·摩哈马萨德;T·M·格伦济基 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | G06F3/06 | 分类号: | G06F3/06 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 自动化 动态 开始 电压 设备 方法 | ||
本发明涉及用于自动化动态字线开始电压ADWLSV的设备及方法。实例设备包含控制器及存储器装置。所述存储器装置经配置以在所述存储器装置内部维持所述存储器装置中的数个开放块的状态。所述状态可包含在所述相应数目个开放块中起始编程操作。响应于从所述控制器接收引导对字线的所述编程操作的起始的请求,确定相对于与所述字线相关联的其它存储器单元群组而首先编程的与所述字线相关联的存储器单元群组,且在包含于开放块的所述状态中的情况下,维持所述存储器单元群组在其下是待编程的第一群组的电压。
技术领域
本发明大体上涉及半导体存储器及方法,且更特定来说,涉及用于一种自动化动态字线开始电压的设备及方法。
背景技术
存储器装置通常提供为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路。存在许多不同类型的存储器,包含易失性存储器及非易失性存储器。易失性存储器可需要电力来维持其数据且尤其包含随机存取存储器(RAM)、动态随机存取存储器(DRAM)及同步动态随机存取存储器(SDRAM)。非易失性存储器可通过在未通电时保留所存储的数据而提供永久数据,且可尤其包含NAND快闪存储器、NOR快闪存储器、只读存储器(ROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、可擦除可编程ROM(EPROM)及电阻可变存储器(例如相变随机存取存储器(PCRAM)、电阻随机存取存储器(RRAM)及磁阻随机存取存储器(MRAM))。
存储器装置可被组合在一起以形成存储器系统的存储容量,例如固态驱动器(SSD)。固态驱动器可包含非易失性存储器(例如NAND快闪存储器及NOR快闪存储器),及/或可包含易失性存储器(例如DRAM及SRAM),以及各种其它类型的非易失性及易失性存储器。
SSD可用于取代硬盘驱动作为计算机的主存储容量,这是因为固态驱动器可在性能、大小、重量、耐用性、操作温度范围及电力消耗方面优于硬驱动。例如,SSD可归因于其无移动部件(其可避免与磁盘驱动相关联的搜索时间、延时及其它机电延迟)而具有比磁盘驱动优异的性能。
应用到存储器装置(例如SSD)的存储器单元的积累编程及擦除(P/E)循环可导致所述存储器单元的编程时间随着P/E循环的数目增加而变得更快。所述存储器单元相对于在第一P/E循环附近使用的编程电压变得以逐渐减小的编程电压编程可促成所述编程时间变得更快。因而,在所述存储器单元的使用寿命内将字线开始电压匹配到编程速度的尝试可为有用的。
附图说明
图1是根据本发明的数个实施例的呈用于执行自动化动态字线开始电压(ADWLSV)操作的计算系统形式的设备的框图。
图2是根据本发明的数个实施例的呈经配置以执行ADWLSV操作的存储器装置形式的设备的框图。
图3是根据本发明的数个实施例的呈经配置以执行ADWLSV操作的多平面存储器装置形式的设备的框图。
图4说明表,所述表说明根据本发明的数个实施例的经组合成超级块的多平面存储器装置的特定存储器单元块的实例。
图5说明表,所述表说明根据本发明的数个实施例的在所述多平面存储器装置内部维持的ADWLSV开放块列表的实例。
图6说明表,所述表说明根据本发明的数个实施例的在主机内部维持的设置特征接口的实例。
具体实施方式
本发明涉及用于自动化动态字线开始电压(ADWLSV)的设备及方法。如本文中所描述,字线开始电压希望意味着施加到字线(在本文中也称为“存取线”)用于编程(例如,执行写入操作到)与所述字线相关联(例如,耦合到所述字线)的存储器单元的开始电压(例如,选自一序列脉冲电压)。
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