[发明专利]铝多孔体和用于生产铝多孔体的方法

说明书

铝多孔体包括具有三维网络结构的骨架，其中，骨架由包含碳化铝的铝层形成，以及当对所述铝多孔体进行XRD测量时，在30.8°以上且31.5°以下的2θ范围以及31.6°以上且32.3°以下的2θ范围内的两个峰位置探测到源自碳化铝的衍射峰。

技术领域

本公开涉及一种铝多孔体和用于生产铝多孔体的方法。

本申请要求享受在2017年4月5日提交的日本专利申请第2017-075270号的优先权，其全部内容通过引用并入本文。

背景技术

专利文献1公开了通过电镀形成的多晶铝膜具有改善的硬度，这是因为铝晶粒的边界中存在碳化铝颗粒。

引用列表

专利文献

专利文献1：日本未经审查的专利申请公开第2016-000838号

发明内容

本公开的铝多孔体是包括具有三维网络结构的骨架的铝多孔体，其中，骨架由包含碳化铝的铝层形成，以及当通过X射线衍射方法测量铝多孔体时，在30.8°以上且31.5°以下的2θ范围以及31.6°以上且32.3°以下的2θ范围内的两个峰位置探测到源自碳化铝的衍射峰。

根据本公开的用于生产铝多孔体的方法是用于生产本公开的前述铝多孔体的方法，以及包括如下步骤：赋予导电性的处理步骤，对树脂成型体的骨架表面进行赋予导电性的处理以赋予导电性，所述骨架具有三维网络结构，电解处理步骤，在电解质溶液中对赋予导电性的处理步骤后的树脂成型体进行电解处理，以通过在所述骨架表面上电沉积铝来提供树脂结构，树脂除去步骤，通过热处理树脂结构或通过用酸或碱溶解所述树脂结构来除去所述树脂结构，从而除去所述树脂成型体，以提供铝多孔体，以及结晶步骤，其中在所述电解处理步骤中使用的电解质溶液包含作为组分的：(A)卤化铝，(B)选自烷基咪唑鎓卤化物、烷基吡啶鎓卤化物和脲类化合物中的一种或多种化合物，和(C)含有碳原子的添加剂，该添加剂被结合到电沉积在树脂成型体的骨架表面上的铝中，其中组分(A)与组分(B)的摩尔混合比率在1∶1至3∶1的范围内，以及通过在650℃以上且680℃以下的气氛中在1.0×10^-2Pa以下的真空中热处理所述树脂结构来进行树脂除去步骤和结晶步骤中的每一个。

根据本公开的用于生产铝多孔体的方法是用于生产本公开的前述铝多孔体的方法，以及包括如下步骤：赋予导电性的处理步骤，对树脂成型体的骨架表面进行赋予导电性的处理以赋予导电性，所述骨架具有三维网络结构，电解处理步骤，在电解质溶液中对赋予导电性的处理步骤后的树脂成型体进行电解处理，以通过在所述骨架表面上电沉积铝来提供树脂结构，树脂除去步骤，通过热处理树脂结构或通过用酸或碱溶解所述树脂结构来除去所述树脂结构，从而除去所述树脂成型体，以提供铝多孔体，以及结晶步骤，其中在所述电解处理步骤中使用的电解质溶液包含作为组分的：(A)卤化铝，(B)选自烷基咪唑鎓卤化物、烷基吡啶鎓卤化物和脲类化合物中的一种或多种化合物，和(C)含有碳原子的添加剂，该添加剂被结合到电沉积在树脂成型体的骨架表面上的铝中，其中组分(A)与组分(B)的摩尔混合比率在1∶1至3∶1的范围内，通过溶解并且除去进行所述树脂除去步骤，以及通过在650℃以上且680℃以下的气氛中在1.0×10^-2Pa以下的真空中热处理所述树脂结构来进行所述结晶步骤。