[发明专利]半导体装置的制造方法及半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其具备：

金属掩模形成工序，在基板的背面之上形成具备开口的锥形金属掩模，所述开口使所述背面的特定部分露出，且所述开口的缘部朝向所述背面具有正锥形；

干蚀刻工序，通过从所述锥形金属掩模之上对所述开口的所述缘部及从所述开口露出的所述基板进行干蚀刻，从而在所述基板形成锥形槽；以及

金属掩模去除工序，将所述锥形金属掩模去除，

在所述金属掩模形成工序中，通过使用包含催化剂毒物的化学镀液实施化学镀，从而形成所述特定部分的外缘的上方的部分以所述正锥形进行了镀层生长的化学镀膜，该化学镀膜作为所述锥形金属掩模，该化学镀是以与所述特定部分的外侧的区域的催化剂毒物浓度相比提高所述特定部分的所述外缘的上方的催化剂毒物浓度的方式实施的。

2.一种半导体装置的制造方法，其具备：

金属掩模形成工序，在基板的背面之上形成具备开口的锥形金属掩模，所述开口使所述背面的特定部分露出，且所述开口的缘部朝向所述背面具有正锥形；

干蚀刻工序，通过从所述锥形金属掩模之上对所述开口的所述缘部及从所述开口露出的所述基板进行干蚀刻，从而在所述基板形成锥形槽；以及

金属掩模去除工序，将所述锥形金属掩模去除，

所述金属掩模形成工序是通过使用包含催化剂毒物的化学镀液而实施化学镀，从而形成所述锥形金属掩模，

所述金属掩模形成工序包含：

供电层形成工序，在所述基板的所述背面设置供电层；以及

化学镀工序，通过使用包含所述催化剂毒物的所述化学镀液对所述供电层实施化学镀，从而形成所述锥形金属掩模，

通过使所述背面的所述特定部分不被所述供电层覆盖，从而在所述锥形金属掩模设置所述开口。

3.一种半导体装置的制造方法，其具备：

金属掩模形成工序，在基板的背面之上形成具备开口的锥形金属掩模，所述开口使所述背面的特定部分露出，且所述开口的缘部朝向所述背面具有正锥形；

干蚀刻工序，通过从所述锥形金属掩模之上对所述开口的所述缘部及从所述开口露出的所述基板进行干蚀刻，从而在所述基板形成锥形槽；以及

金属掩模去除工序，将所述锥形金属掩模去除，

所述金属掩模形成工序是通过使用包含催化剂毒物的化学镀液而实施化学镀，从而形成所述锥形金属掩模，

所述金属掩模形成工序包含：

供电层形成工序，在所述基板的所述背面设置供电层；

设置将所述供电层中的所述特定部分的上方的部位覆盖的防镀层生长掩模的工序；以及

化学镀工序，通过使用包含所述催化剂毒物的所述化学镀液，对所述供电层的从所述防镀层生长掩模露出的部分实施化学镀，从而形成所述锥形金属掩模，

在去除所述防镀层生长掩模后或从所述防镀层生长掩模之上进行所述干蚀刻工序。

4.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其中，

以使得所述锥形金属掩模比所述防镀层生长掩模厚的方式实施所述化学镀。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述催化剂毒物包含如下中的任意物质：

从由铅、铋、锑、碲及铜离子构成的组选出的至少1种金属离子；

硫化物；

氮化物；

聚乙二醇；以及

乙炔类醇。

6.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述化学镀液以0.1～40mg/L包含所述物质。

7.根据权利要求2至4中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述供电层的主成分与所述锥形金属掩模的主成分相同。

8.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，

还具备：

在所述金属掩模形成工序前，在所述基板的表面侧通过粘接剂对支撑基板进行粘贴的工序；以及

在所述金属掩模去除工序后，从所述基板剥离所述支撑基板的工序。