[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

第一导电型半导体基体；

第二导电型第一半导体区域,形成在所述第一导电型半导体基体的第一主面的表面上，并且具有多个第一角部以及多个第一边部；

第二导电型表面半导体区域，在所述第一主面的表面上，从平面看包含与所述第二导电型第一半导体区域重叠的区域、并且具有从平面看包围所述第二导电型第一半导体区域的多个第二角部以及多个第二边部，并且掺杂物浓度比所述第二导电型第一半导体区域更低；

绝缘膜，在所述第一主面的表面上，从平面看从形成有所述第二导电型第一半导体区域的区域延展至比所述第二导电型表面半导体区域更外侧的区域上；

第一半导体区域侧电极，从平面看形成在与所述第二导电型第一半导体区域重叠的区域上；以及

场板，具有从平面看通过所述绝缘膜形成在与所述第二导电型表面半导体区域重叠区域上的多个场板角部以及多个场板边部，

其中，将从平面上看所述第二角部时从所述第二导电型第一半导体区域的外边缘直至所述第二导电型表面半导体区域的外边缘上的所述第二导电型表面半导体区域的总长设为L1，将从平面上看所述第二边部时从所述第二导电型第一半导体区域的外边缘直至所述第二导电型表面半导体区域的外边缘上的所述第二导电型表面半导体区域的总长设为L2，并且

将从平面上看所述场板角部时从所述第二导电型第一半导体区域侧电极的外边缘直至所述场板的外边缘上的所述第二导电型表面半导体区域的长度设为FP1，将从平面上看所述场板边部时从所述第二导电型第一半导体区域侧电极的外边缘直至所述场板的外边缘上的长度设为FP2时，

至少满足(1)在所述第二导电型表面半导体区域的至少一部分上L1L2、以及(2)在所述场板的至少一部分上FP1FP2这两个条件中的任意一个，并且所述第二边部的耐压低于所述第二角部的耐压。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

其中，满足在所述第二导电型表面半导体区域的至少一部分上L1L2的条件，并且在所述第二边部的外边缘上，具有从平面看向内侧凹陷的凹部。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于：

其中，至少从平面看在位于离开所述第二边部的外边缘的位置上的第一区域上，未形成有所述第二导电型表面半导体区域。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于：

其中，从平面看所述凹部的底部部分沿在相邻的所述第二角部之间的从一个所述第二角部向另一个所述第二角部的方向也就是x方向呈直线形，

所述凹部的形状从平面看呈所述第二导电型第一半导体区域一侧狭窄的锥形，

所述第一区域的形状从平面看呈沿所述x方向延伸的长条形。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

其中，满足在所述第二导电型表面半导体区域的至少一部分上L1L2的条件，

并且至少从平面看在位于离开所述第二边部的外边缘的位置上的第一区域上，未形成有所述第二导电型表面半导体区域。

6.根据权利要求3至5中任意一项所述的半导体装置，其特征在于：

其中，在所述第一区域的至少一部分上，形成有电阻比所述第二导电型表面半导体区域更大的高电阻区域。

7.根据权利要求3至5中任意一项所述的半导体装置，其特征在于：

其中，所述第一区域，从平面看位于与所述场板重叠的位置上。

8.根据权利要求3至5中任意一项所述的半导体装置，其特征在于：

其中，从平面看在位于离开所述第二角部的外边缘的位置上的第二区域上，未形成有所述第二导电型表面半导体区域。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于：

其中，所述第一区域与所述第二区域是连续的。