[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其具备：

第1半导体芯片，其包含场效应晶体管，该场效应晶体管具有栅极端子、漏极端子以及与接地用端子连接的源极端子；

第2半导体芯片，其具有彼此直流地通过配线而连接的输入端子和输出端子，该第2半导体芯片包含一端与所述配线连接，另一端与所述接地用端子连接的第1电容器；

第1电感，其连接在所述输出端子与所述栅极端子之间；

第2电感，其具有与所述配线连接的第1端子；

第2电容器，其形成于所述第2半导体芯片，连接在所述第2电感的与所述第1端子相反侧的端子即第2端子和所述接地用端子之间；

保护二极管，其形成于所述第2半导体芯片，并且该保护二极管的阳极与所述接地用端子连接；以及

第3电感，其连接在所述保护二极管的阴极与所述第2端子之间。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述场效应晶体管是GaN类HEMT，

并且所述第2半导体芯片由GaAs基板、InP基板、SiC基板以及高电阻Si基板中的任一基板制作。

3.根据权利要求1或2中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述保护二极管是肖特基结二极管或者pn结二极管。

4.根据权利要求1或2中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述第2电感或者所述第3电感是键合导线。

5.根据权利要求1或2中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

将所述第1半导体芯片和所述第2半导体芯片安装于同一封装件。

6.一种半导体装置，其具备：

第1半导体芯片，其包含场效应晶体管，该场效应晶体管具有栅极端子、漏极端子以及与接地用端子连接的源极端子；

第2半导体芯片，其具有彼此直流地通过配线而连接的输入端子和输出端子，该第2半导体芯片包含一端与所述配线连接、另一端与所述接地用端子连接的第1电容器；

第1电感，其连接在所述输出端子与所述栅极端子之间；

第2电感，其具有与所述栅极端子连接的第1端子；

第2电容器，其形成于所述第2半导体芯片，连接在所述第2电感的与所述第1端子相反侧的端子即第2端子和所述接地用端子之间；

保护二极管，其形成于所述第2半导体芯片，沿正向而多个串联连接，并且阳极与所述接地用端子连接；以及

第3电感，其连接在所述保护二极管的阴极与所述第2端子之间。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，

所述场效应晶体管是GaN类HEMT，

并且所述第2半导体芯片由GaAs基板、InP基板、SiC基板以及高电阻Si基板中的任一基板制作。

8.根据权利要求6或7中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述保护二极管是肖特基结二极管或者pn结二极管。

9.根据权利要求6或7中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

将所述第1半导体芯片和所述第2半导体芯片安装于同一封装件。