[发明专利]半导体模块、半导体模块的制造方法以及电力变换装置

说明书

半导体模块具备基板(1)、半导体元件(3)以及线(8)。半导体元件(3)被接合到基板(1)上，并且具有表面电极(4)。关于线(8)，跨越半导体元件(3)的表面电极(4)而两端部(8a)的各个端部被键合到基板(1)。线(8)与表面电极(4)电连接。

技术领域

本发明涉及半导体模块、半导体模块的制造方法以及电力变换装置，特别涉及包括功率半导体元件的功率半导体模块、其制造方法以及电力变换装置。

背景技术

半导体模块通常具备：基板，具有导体图案；半导体元件，具有与导体图案接合的背面和设置有表面电极的表面；以及键合线，与表面电极接合。

另外，在半导体模块中，有线未被键合而半导体元件和线被电连接的例子。这样的半导体模块的一个例子记载于日本专利第3809379号公报(专利文献1)。在该公报记载的半导体模块中，具有开口部的保护膜覆盖配置于半导体元件的表面的表面电极上。在保护膜的开口部利用焊料接合线和表面电极。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第3809379号公报

发明内容

在上述通常的半导体模块中，对表面电极键合线，所以在与表面电极的线的接合部中形成切口形状。因此，在半导体模块的运用中的发热、冷却的反复所致的温度变化时，在线的接合部中应力集中到切口形状的端。由此，从切口形状的端发生破坏。因此，难以使对半导体元件的表面电极键合的线的接合部长寿命化。

另外，在上述公报记载的半导体模块中，未进行利用超声波接合的线键合，所以在与表面电极的线的接合部中不形成切口形状。然而，线通过焊料被接合到表面电极，所以相比于线键合，线的根数受到限制。因此，难以减小每一根线的电流密度。

本发明是鉴于上述课题而完成的，其目的在于提供能够使与半导体元件的表面电极的线的接合部长寿命化并且减小每一根线的电流密度的半导体模块、半导体模块的制造方法以及电力变换装置。

本发明的半导体模块具备基板、半导体元件以及线。半导体元件被接合到基板上，并且具有表面电极。线跨越半导体元件的表面电极而两端部的各个端部被键合到基板。线与表面电极电连接。

根据本发明的半导体模块，线跨越半导体元件的表面电极而两端部的各个端部被键合到基板，并与表面电极电连接。因此，在与表面电极的线的接合部中未形成切口形状，所以能够抑制应力集中到线的接合部的端。另外，使用键合线，所以相比于通过焊料接合线的情况，能够增加线的根数。因此，能够使半导体元件的表面电极和线的接合部长寿命化并且减小每一根线的电流密度。

附图说明

图1是概略地示出本发明的实施方式1所涉及的半导体模块的结构的正面图。

图2是概略地示出本发明的实施方式1所涉及的半导体模块的结构的俯视图。

图3是沿着图1以及图2的III-III线的端面图。

图4是概略地示出本发明的实施方式2所涉及的半导体模块的结构的正面图。

图5是概略地示出本发明的实施方式2所涉及的半导体模块的结构的俯视图。

图6是沿着图5的VI-VI线的端面图。

图7是概略地示出本发明的实施方式2的变形例1所涉及的半导体模块的结构的正面图。

图8是概略地示出本发明的实施方式2的变形例1所涉及的半导体模块的结构的俯视图。

图9是沿着图7的IX-IX射线的端面图。

图10是概略地示出本发明的实施方式2的变形例2所涉及的半导体模块的结构的端面图。