[发明专利]半导体装置及其制造方法、以及电力转换装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其中，具备：

绝缘基板，其包括绝缘层；

半导体元件，其连接在所述绝缘基板的上方；

导体基板，其连接在所述半导体元件的上方；以及

壳体材料，其以避开与所述绝缘基板、所述半导体元件以及所述导体基板在俯视观察时重叠的区域的方式包围所述绝缘基板、所述半导体元件以及所述导体基板，

在所述绝缘层的主表面相互隔开间隔地配置有多个金属图案，

在所述多个金属图案中的相邻的一对所述金属图案之间形成有槽，

在所述导体基板，在与所述槽在俯视观察时重叠的位置形成有贯通孔，

在被所述壳体材料包围的区域填充密封材料。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

在所述绝缘基板，所述绝缘层与金属板成为一体地接合。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

所述槽以在相邻的一对所述金属图案之间在俯视观察时呈直线状延伸的方式形成。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其中，

所述壳体材料具有矩形的平面形状，该矩形具有长边和短边，

所述贯通孔形成在配置于将被所述壳体材料包围的区域的所述长边三等分时的中央、且配置于将所述短边三等分时的中央的区域内。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，其中，

所述贯通孔在俯视观察时最大宽度为1mm以上且10mm以下。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体装置，其中，

所述绝缘基板与所述导体基板的最小间隔为0.2mm以上且3mm以下。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体装置，其中，

所述导体基板的端面与所述壳体材料的、在沿着所述主表面的方向上的间隔为0.25mm以上且3mm以下。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的半导体装置，其中，

所述密封材料是环氧树脂或有机硅树脂。

9.一种电力转换装置，其中，具备：

主转换电路，其具有权利要求1～8中任一项所述的电力用半导体装置，对输入的电力进行转换并输出；以及

控制电路，其向所述主转换电路输出控制所述主转换电路的控制信号。

10.一种半导体装置的制造方法，其中，具备：

在包括绝缘层在内的绝缘基板的上方，以夹着半导体元件的方式接合导体基板的工序；

将所述绝缘基板、所述半导体元件以及所述导体基板以被壳体材料包围的方式设置的工序；以及

通过向被所述壳体材料包围的区域供给密封材料来密封所述半导体元件的工序，

所述壳体材料以避开与所述绝缘基板、所述半导体元件以及所述导体基板在俯视观察时重叠的区域的方式包围所述绝缘基板、所述半导体元件以及所述导体基板，

在所述绝缘层的主表面相互隔开间隔地形成多个金属图案，

在所述多个金属图案中的相邻的一对所述金属图案之间形成槽，

在所述导体基板，在与所述槽在俯视观察时重叠的位置形成贯通孔。