[发明专利]半导体元件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体元件的制造方法，其特征在于，具备以下工序：

在晶片形成多个具有有源区域的半导体元件；

在所述晶片的上表面侧形成多个劈开槽；以及

将所述晶片从所述晶片的上表面侧劈开，使多个所述有源区域和通过多个所述劈开槽形成的台阶在剖面露出，

所述有源区域设置于将从所述劈开槽的底至所述晶片的下表面的距离作为半径且将所述劈开槽的劈开行进方向侧的端部正下方的所述晶片的下表面作为中心的半圆内。

2.根据权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，

所述有源区域设置于所述劈开槽的正下方。

3.根据权利要求1或2所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，

所述劈开槽是宽度在深度方向上变窄的形状，

所述半圆的中心是所述劈开槽的宽度最窄位置的劈开行进方向侧的端部正下方的所述晶片的下表面。

4.根据权利要求3所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，

所述劈开槽的宽度在深度方向上阶梯状地变窄。

5.根据权利要求3所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，

所述劈开槽的侧面在至少一部分是曲面。

6.一种半导体元件的制造方法，其特征在于，具备以下工序：

在晶片形成多个在所述晶片的上表面侧具有有源区域的半导体元件；

在所述晶片的下表面侧形成多个宽度在深度方向上阶梯状地变窄的劈开槽；以及

将所述晶片从所述晶片的下表面侧劈开，使多个所述有源区域和通过多个所述劈开槽形成的台阶在剖面露出，

所述有源区域形成于不与所述台阶重叠的位置。

7.根据权利要求6所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，

所述晶片从下表面侧起依次具备基板、下覆层、所述有源区域、上覆层以及接触层。

8.一种半导体元件的制造方法，其特征在于，具备以下工序：

在晶片形成多个具有有源区域的半导体元件；

在所述晶片的上表面侧形成多个构造物，以及

从所述晶片的上表面侧将所述晶片劈开，由此，使多个所述有源区域和通过多个所述构造物形成的台阶在剖面露出，

所述有源区域形成于不与所述台阶重叠的位置，

所述有源区域设置于将所述晶片的厚度作为半径且将所述构造物的劈开行进方向侧的端部正下方的所述晶片的下表面作为中心的半圆内。