[发明专利]作为用于芯片间精确分离的挡块的柱在审
申请号: | 201780089171.8 | 申请日: | 2017-09-19 |
公开(公告)号: | CN110462836A | 公开(公告)日: | 2019-11-15 |
发明(设计)人: | E.A.卢塞罗 | 申请(专利权)人: | 谷歌有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/18 | 分类号: | H01L27/18;H01L39/00;G06N10/00 |
代理公司: | 11105 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 金玉洁<国际申请>=PCT/US2017 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 键合 第一基板 凸块 第二基板 第一表面 量子信息处理 堆叠设备 分离距离 电连接 平行 | ||
1.一种设备,包括:
包括量子信息处理器件的第一基板;
键合到第一基板的第二基板;
所述第一基板和所述第二基板之间的多个凸块键合件,所述多个凸块键合件中的每个凸块键合件提供所述第一基板和所述第二基板之间的电连接;和
所述第一基板和所述第二基板之间的至少一个柱,所述至少一个柱定义了所述第一基板的第一表面和所述第二基板的第一表面之间的分离距离,其中每个柱的横截面积大于所述多个凸块键合件中的每个凸块键合件的横截面积,每个柱的横截面积和每个凸块键合件的横截面积沿着平行于所述第一基板的第一表面或所述第二基板的第一表面的平面来定义。
2.根据权利要求1所述的设备,其中所述多个凸块键合件是超导凸块键合件。
3.根据权利要求2所述的设备,其中所述多个凸块键合件是铟凸块键合件。
4.根据权利要求1所述的设备,其中所述多个凸块键合件中的第一凸块键合件提供所述第一量子信息处理器件和所述第二基板上的电路元件之间的电连接。
5.根据权利要求1所述的设备,其中所述第一基板和所述第二基板之间的至少一个柱是超导柱。
6.根据权利要求5所述的设备,其中所述至少一个柱是铟。
7.根据权利要求1所述的设备,其中所述第一基板上的所述至少一个量子信息处理器件是量子比特。
8.根据权利要求1所述的设备,其中所述至少一个柱是环,使得当所述第一基板和所述第二基板处于所述分离距离时,所述环围绕所述第一基板上的所述至少一个量子信息处理器件。
9.根据权利要求1所述的设备,其中所述至少一个柱提供所述第一基板上的电路元件和所述第二基板上的电路元件之间的电连接。
10.一种方法,包括:
提供第一基板;
提供第二基板,其中所述第一基板包括多个凸块键合件;
在所述第一基板上提供至少一个柱,其中每个柱的厚度小于所述多个凸块键合件中的每个凸块键合件的厚度,所述厚度沿着垂直于其上形成所述至少一个柱的所述第一基板的第一表面的方向延伸;
将所述第一基板键合到所述第二基板,其中所述键合包括在所述第一基板和所述第二基板之间施加力,以将所述多个凸块键合件压缩到与所述至少一个柱的厚度相同的厚度。
11.根据权利要求10所述的方法,其中在所述第一基板和所述第二基板之间施加力对所述至少一个柱进行压缩,使得所述至少一个柱的宽度扩展。
12.根据权利要求11所述的方法,包括测量所述至少一个柱的扩展。
13.根据权利要求12所述的方法,其中测量所述至少一个柱的扩展包括使用边缘视图显微镜来确定通过所述第一基板和所述第二基板之间的间隙观察的扩展的量。
14.根据权利要求12所述的方法,其中测量所述至少一个柱的扩展包括测量所述至少一个柱相对于被图案化在所述第一基板上的配准标记的横向扩展。
15.根据权利要求10所述的方法,包括在将所述第一基板键合到所述第二基板之前获得校准力。
16.根据权利要求15所述的方法,其中所述获得校准力包括:
提供包括多个凸块键合件的第三基板;
提供第四基板;
在所述第三基板和所述第四基板之间施加力,以实现所述第三基板和所述第四基板之间的预定分离距离;和
其中施加在所述第一基板和所述第二基板之间的力至少与施加在所述第三基板和所述第四基板之间的力一样大。
17.根据权利要求16所述的方法,其中施加在所述第一基板和所述第二基板之间的力大于施加在所述第三基板和所述第四基板之间的力。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的