[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201780089939.1 | 申请日： | 2017-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN110574147B | 公开（公告）日： | 2023-01-10 |
| 发明（设计）人： | 北野俊明 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/338 | 分类号： | H01L21/338;H01L29/778;H01L29/812 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：
高电阻Si基板；
氮化物半导体层，其设置于所述高电阻Si基板之上；
栅极电极、源极电极及漏极电极，它们设置于所述氮化物半导体层之上；以及
P型导电层，其在所述漏极电极之下设置于所述高电阻Si基板，与所述氮化物半导体层相接，
所述P型导电层没有设置于所述栅极电极以及所述源极电极之下。
2.一种半导体装置，其特征在于，具备：
Si基板；
氮化物半导体层，其设置于所述Si基板之上；
栅极电极、源极电极及漏极电极，它们设置于所述氮化物半导体层之上；以及
P型导电层，其在所述漏极电极之下设置于所述Si基板，与所述氮化物半导体层相接，
所述P型导电层没有设置于所述栅极电极以及所述源极电极之下，
所述P型导电层具有高浓度层和低浓度层，该低浓度层设置于所述高浓度层的外侧，与所述高浓度层相比杂质浓度低。
3.一种半导体装置，其特征在于，具备：
Si基板；
氮化物半导体层，其设置于所述Si基板之上；
栅极电极、源极电极及漏极电极，它们设置于所述氮化物半导体层之上；以及
P型导电层，其在所述漏极电极之下设置于所述Si基板，与所述氮化物半导体层相接，
所述P型导电层没有设置于所述栅极电极以及所述源极电极之下，
在所述P型导电层之上，在所述氮化物半导体层设置有空腔。
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，
还具备嵌入所述空腔的与所述氮化物半导体层相比介电常数低的低介电常数材料。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
所述P型导电层的宽度比所述漏极电极的宽度窄。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
所述P型导电层的宽度比所述漏极电极的宽度宽。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
