[发明专利]低折射率的掺杂氟化钕的聚酯碳酸

权利要求书

1.一种设备，包括：

至少一个发光二极管（LED）模块，所述至少一个发光二极管模块被配置成生成可见光；以及

至少一个组件，所述至少一个组件包含包括元素钕、氟和至少一种掺杂剂金属元素的化合物，所述至少一种掺杂剂金属元素用于与氟化钕（NdF₃）相比较降低所述化合物的折射率，所述化合物被配置有所述LED模块以通过过滤由所述LED模块生成的所述可见光而提供期望的光谱。

2.如权利要求1所述的设备，其中所述化合物包括钕和氟化物离子。

3.如权利要求1所述的设备，其中所述至少一种掺杂剂金属元素包括钇（Y）、镁（Mg）、钙（Ca）、钡（Ba）、锶（Sr）、钠（Na）、锂（Li）、铝（Al）或锰（Mn）。

4.如权利要求3所述的设备，其中所述掺杂剂包括钇（Y），并且在所述化合物中Y的浓度是在大约100百万分率（ppm）到大约50000 ppm的范围中。

5.如权利要求4所述的设备，其中在所述化合物中Y的所述浓度是在大约900 ppm到大约1100 ppm的范围中。

6.如权利要求1所述的设备，其中所述化合物被掺杂到基本上透明或半透明聚合物材料中或者与基本上透明或半透明聚合物材料混合。

7.如权利要求6所述的设备，其中所述基本上透明或半透明聚合物材料包括聚碳酸酯。

8.如权利要求1所述的设备，其中所述化合物的所述折射率在656纳米（nm）大约为1.58。

9.如权利要求1所述的设备，其中所述化合物的X射线粉末衍射（XRD）图案基本上类似于纯氟化钕（NdF₃）的XRD图案，其中所述化合物的所述XRD中的峰在较小的峰位置偏移的情况下与在所述氟化钕XRD图案中的峰一致。

10.如权利要求1所述的设备，其中包含所述化合物的所述至少一个组件包括高透明度和低雾度的特性。

11.如权利要求1所述的设备，其中包含所述化合物的所述至少一个组件具有大约为6的雾度值。

12.如权利要求1所述的设备，其中所述掺杂剂金属元素具有比钕更低的离子极化。

13.如权利要求1所述的设备，其中所述LED模块包括无机LED或有机LED。

14.如权利要求1所述的设备，其中所述至少一个组件是包括透明、半透明或反射性透镜、滤光器或光导中的至少一个的光学组件。

15.一种光学组件，包含包括元素钕、氟和至少一种掺杂剂金属元素的化合物，

其中所述至少一种掺杂剂金属元素包括钇（Y）、镁（Mg）、钙（Ca）、钡（Ba）、锶（Sr）、钠（Na）、锂（Li）、铝（Al）或锰（Mn）；

其中所述化合物被掺杂到基本上透明或半透明聚合物材料中或者与基本上透明或半透明聚合物材料混合。

16.如权利要求15所述的光学组件，其中所述光学组件是透镜、滤光器或光导，透镜、滤光器或光导是透明的、是半透明的或是反射性的中的至少一个。

17.如权利要求15所述的光学组件，其中所述基本上透明或半透明聚合物材料包括聚碳酸酯。