[发明专利]离子检测装置及质谱分析装置有效

专利信息
申请号: 201780090604.1 申请日: 2017-05-17
公开(公告)号: CN110612595B 公开(公告)日: 2022-02-08
发明(设计)人: 西口克 申请(专利权)人: 株式会社岛津制作所
主分类号: H01J49/06 分类号: H01J49/06;H01J49/42
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 离子 检测 装置 谱分析
【权利要求书】:

1.一种离子检测装置,其对通过离子分离部而来的离子或从该离子分离部放出的离子进行检测,所述离子分离部将离子根据质量或迁移率进行分离,所述离子检测装置的特征在于,具备:

a)转换打拿极,其配置在从自所述离子分离部送出的入射离子流的中心轴的延长线上偏离的位置,将被由所述转换打拿极自身形成的电场吸引的离子转换为电子;

b)电子检测部,其隔着所述入射离子流的中心轴的延长线而与所述转换打拿极相向地配置,将从该转换打拿极放出的电子放大来进行检测;

c)屏蔽电极,其配置在所述入射离子流的入射位置与所述转换打拿极及所述电子检测部之间,具备:c1)阻挡壁,其位于所述入射离子流的中心轴的延长线上,阻挡粒子通过;以及c2)电场调整壁,其与该阻挡壁相连接,所述电场调整壁呈平面状、曲面状或多面状,所述电场调整壁具有用于去向所述转换打拿极的离子通过的开口,或者缺失了该离子通过的部分,其中,所述平面包括在从所述入射离子流的入射位置观察时在同时包括所述入射离子流的中心轴和所述转换打拿极的离子碰撞面的中心轴的平面上与所述入射离子流的中心轴所成的角度为锐角的直线,所述曲面包括以该直线为近似直线的曲线,所述多面与该曲面近似,其中,所述电场调整壁能够形成与在不存在所述屏蔽电极的状态下在所述转换打拿极与所述入射离子流的入射位置之间形成的电场的等电位面较接近的电位的壁,并且能够使该电场调整壁与所述入射离子流的入射位置之间的空间的电场成为与不存在所述屏蔽电极的状态相近的状态;以及

d)电压施加部,其对所述屏蔽电极施加规定的直流电压。

2.根据权利要求1所述的离子检测装置,其特征在于,

还在从所述离子分离部送来的离子流的入射位置具备孔电极,所述孔电极屏蔽由该离子分离部产生的电场并且使离子通过,所述屏蔽电极配置在该孔电极与所述转换打拿极及所述电子检测部之间。

3.根据权利要求2所述的离子检测装置,其特征在于,

所述电场调整壁具有包围用于去向所述转换打拿极的离子通过的开口的壁面。

4.根据权利要求3所述的离子检测装置,其特征在于,

设置于所述电场调整壁的开口位于比在使所述孔电极的离子通过开口沿所述入射离子流的中心轴的延伸方向移动时虚拟地形成的筒状空间靠外侧的位置。

5.根据权利要求3所述的离子检测装置,其特征在于,

所述阻挡壁平行于与所述入射离子流的中心轴大致正交的平面,所述屏蔽电极在隔着所述电场调整壁与所述阻挡壁相反的一侧具有与该电场调整壁连接且与该阻挡壁平行的电场辅助调整壁。

6.根据权利要求1所述的离子检测装置,其特征在于,

所述电场调整壁具有电位相同的平面,该平面与在未配置所述屏蔽电极的状态下由所述转换打拿极形成的电场中的在配置该屏蔽电极的位置附近处的曲面状的等电位面近似。

7.一种质谱分析装置,其特征在于,具备:

根据权利要求1所述的离子检测装置;

离子源,其将试样中的化合物进行离子化;以及

四极杆滤质器,其使由所述离子源生成的离子中的具有特定质荷比的离子选择性地通过,

其中,所述质谱分析装置将通过了所述四极杆滤质器的离子导入到所述离子检测装置来进行检测。

8.一种质谱分析装置,其特征在于,具备:

根据权利要求1所述的离子检测装置;

离子源,其将试样中的化合物进行离子化;

前级四极杆滤质器,其使由所述离子源生成的离子中的具有特定质荷比的离子选择性地通过;

离子裂解部,其使通过了所述前级四极杆滤质器的离子裂解;以及

后级四极杆滤质器,其使在所述离子裂解部通过裂解而生成的产物离子中的具有特定质荷比的离子选择性地通过,

其中,所述质谱分析装置将通过了所述后级四极杆滤质器的离子导入到所述离子检测装置来进行检测。

9.一种质谱分析装置,其特征在于,具备:

根据权利要求1所述的离子检测装置;

离子源,其将试样中的化合物进行离子化;以及

离子阱,其在将由所述离子源生成的离子或源自该离子的其它离子暂时捕获之后,根据质荷比将离子分离并依次放出,

其中,所述质谱分析装置将从所述离子阱放出的离子导入到所述离子检测装置来进行检测。

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