[发明专利]微波器件结构及其实现方法

权利要求书

1.一种微波器件结构，包括基片集成波导和微带线，所述基片集成波导包括无金属通孔的开放边界以及具有金属通孔的过孔边界，所述微带线的第一端接地，所述微带线的第二端与所述基片集成波导的开放边界相连，并且第二端与开放边界相连的位置是电磁波的电场最强处的位置，所述微带线长度约为其中k＝0,1,2,3,…，L是谐振频率为所述基片集成波导的主模时的所述微带线的波长。

2.根据权利要求1所述的微波器件结构，其中k＝0，所述微带线长度约为

3.根据权利要求1所述的微波器件结构，其中所述第一端通过金属通孔接地。

4.根据权利要求1所述的微波器件结构，其中所述微带线包括一条或两条微带线。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的微波器件结构，其中所述基片集成波导包括半模基片集成波导或四分之一模基片集成波导。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的微波器件结构，其中所述基片集成波导的金属顶层图案为矩形、三角形和扇形中的任一项。

7.根据权利要求5所述的微波器件结构，其中所述基片集成波导为半模基片集成波导，其中所述微带线的第二端位于所述开放边界上，且与所述过孔边界的距离约为所述开放边界的长度的四分之一。

8.根据权利要求5所述的微波器件结构，其中所述基片集成波导为四分之一模基片集成波导，其中所述微带线的第二端位于所述开放边界上，且与所述过孔边界的距离约为所述开放边界的长度的二分之一。

9.一种抑制高次模的方法，包括：

提供基片集成波导和微带线，其中所述基片集成波导包括无金属通孔的开放边界以及具有金属通孔的过孔边界，所述微带线长度约为其中k＝0,1,2,3,…，L是谐振频率为所述基片集成波导的主模时的所述微带线的波长，所述方法包括：

将所述微带线的第一端接地，以及将所述微带线的第二端与所述基片集成波导的开放边界相连，其中，第二端与开放边界相连的位置是电磁波的电场最强处的位置。

10.根据权利要求9所述的方法，其中k＝0，所述微带线长度约为

11.根据权利要求9所述的方法，其中，所述将所述微带线的第一端接地的步骤包括：

将所述第一端通过金属通孔接地。

12.根据权利要求9至11中任一项所述的方法，其中所述基片集成波导包括半模基片集成波导或四分之一模基片集成波导。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述基片集成波导为半模基片集成波导，其中所述将所述微带线的第二端与所述基片集成波导的开放边界相连的步骤包括：

将所述微带线的第二端放置于所述开放边界上，且与所述过孔边界的距离约为所述开放边界的长度的四分之一。

14.根据权利要求12所述的方法，其中所述基片集成波导为四分之一模基片集成波导，其中所述将所述微带线的第二端与所述基片集成波导的开放边界相连的步骤包括：

将所述微带线的第二端放置于所述开放边界上，且与所述过孔边界的距离约为所述开放边界的长度的二分之一。

15.通信系统中的计算机设备，所述计算机设备为网络设备或终端设备，其中，所述计算机设备包括如权利要求1至8中任一项所述的微波器件结构。