[发明专利]半导体装置的制造方法

说明书

依次具有以下工序：在半导体基板之上形成绝缘膜，该绝缘膜具有形成了开口的开口部；在避开该开口部和通过该开口部露出的该半导体基板的同时，在该绝缘膜之上形成第1抗蚀层；通过蒸镀法或者溅射法，在该开口部、该第1抗蚀层和通过该开口部露出的该半导体基板之上形成第1金属；通过剥离法将该第1抗蚀层和该第1抗蚀层之上的该第1金属去除；在该绝缘膜之上形成使该第1金属露出的第2抗蚀层；通过无电解镀法在该第1金属生长第2金属；以及去除该第2抗蚀层。

技术领域

本发明涉及半导体装置的制造方法。

背景技术

在专利文献1中公开了如下技术，即，使针对抗蚀层膜厚或者曝光量的变动的T型栅极电极的形状控制得以提高，并且防止高频装置的高频特性的劣化，其中，该抗蚀层膜厚或者曝光量的变动是与使用了多层抗蚀层的微细T型栅极工艺中的多层膜的曝光相伴的。更具体地说，在专利文献1中公开了如下内容，即，在半导体基板通过单层EB抗蚀层形成微细的抗蚀层开口图案，在整个面形成第1金属薄膜，然后涂敷第2抗蚀层，形成T型栅极的伞的部分的开口图案。然后，将第1金属薄膜作为镀敷电极，在伞部的开口部进行第2金属膜的镀敷，去除抗蚀层，将伞部的第2金属作为掩模而将下层的第1金属薄膜去除，去除第1抗蚀层，由此，形成T型栅极。

专利文献1：日本特开2005-251835号公报

发明内容

例如就使用了GaAs或者GaN等化合物半导体的高频器件而言，以高频特性的提高为目的，缩短栅极电极的栅极长度或者降低栅极电阻。为了在半导体基板之上形成栅极电极，大多采用下面的两种方法中的任意方法。

第1方法是在晶片整面形成供电层膜，形成用于形成栅极电极的抗蚀层图案，实施电解镀敷，将不需要部分的供电层膜去除。第2方法是形成用于形成栅极电极的抗蚀层图案，进行电极材料的成膜，通过剥离将不需要的部分去除。

在第1方法中，由于用于去除供电层的干蚀刻，给半导体基板带来损伤，并且晶体管特性等器件特性劣化。为了避免由干蚀刻引起的损伤，有在半导体基板和栅极电极之间夹持绝缘膜的方法。但是，由于该绝缘膜，寄生电容变大，晶体管特性劣化。

在第2方法中，由于通过蒸镀或者溅射形成电极材料，所以在栅极电极的根部产生拖尾(footing)。拖尾是指在横向上较长地延伸的不希望的部分。如果在栅极电极的根部产生拖尾，则栅极电极的有效尺寸变大，寄生电容变大。另外，随着栅极电极的微细化，不能使剥离法所用的抗蚀层的厚度变厚，因此，栅极电极的高度也降低。如果不能在某种程度上确保栅极电极的高度，则不能降低栅极电阻。

本发明是为了解决上述问题而提出的，其目的在于提供一种能够抑制对半导体基板的损伤、抑制栅极电极的拖尾、能够确保栅极电极的高度的半导体装置的制造方法。

本发明的半导体装置的制造方法的特征在于，依次具有以下工序：在半导体基板之上形成绝缘膜，该绝缘膜具有形成了开口的开口部；在避开该开口部和通过该开口部露出的该半导体基板的同时，在该绝缘膜之上形成第1抗蚀层；通过蒸镀法或者溅射法，在该开口部、该第1抗蚀层和通过该开口部露出的该半导体基板之上形成第1金属；通过剥离法将该第1抗蚀层和该第1抗蚀层之上的该第1金属去除；在该绝缘膜之上形成使该第1金属露出的第2抗蚀层；通过无电解镀法在该第1金属生长第2金属；以及去除该第2抗蚀层。

本发明的其他特征在下面得以明确。

发明的效果

根据本发明，由于通过无电解镀形成栅极电极的大部分，所以能够抑制对半导体基板的损伤、抑制栅极电极的拖尾，能够确保栅极电极的高度。

附图说明

图1是表示实施方式1涉及的半导体装置的制造方法的剖面图。

图2是第1金属的剖面图。

图3是剥离处理后的半导体装置的剖面图。