[发明专利]软错误检查方法、软错误检查装置以及软错误检查系统

权利要求书

1.一种软错误检查方法，是半导体器件中的软错误检查方法，其特征在于，具有：

对上述半导体器件照射激光或者电子束来进行扫描的工序；

对上述半导体器件的被照射上述激光或者上述电子束的每个区域测定并存储位反转的时间的工序，

具有通过对所存储的位反转的时间乘以规定的加速系数来计算耐久时间的工序，

上述规定的加速系数是根据使用上述半导体器件的环境的放射线量与对上述半导体器件照射的上述激光或者上述电子束的关系来获得的参数。

2.根据权利要求1所述的软错误检查方法，其特征在于，

基于上述测定出的位反转的时间的信息，来设定在上述半导体器件中使用的区域。

3.根据权利要求2所述的软错误检查方法，其特征在于

上述使用的区域与经过时间或使用目的对应地设定。

4.根据权利要求2所述的软错误检查方法，其特征在于，

使与上述使用的区域、或者位反转的时间有关的信息存储于上述半导体器件或者与上述半导体器件不同的半导体器件。

5.根据权利要求3所述的软错误检查方法，其特征在于，

使与上述使用的区域、或者位反转的时间有关的信息存储于上述半导体器件或者与上述半导体器件不同的半导体器件。

6.根据权利要求1所述的软错误检查方法，其特征在于，

基于上述测定出的位反转的时间的信息，来判断上述半导体器件的优劣。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的软错误检查方法，其特征在于，

上述激光或者上述电子束是以二维状对上述半导体器件进行扫描来照射的，对各个上述被照射的区域中的上述位反转的时间的信息进行测定并存储。

8.一种软错误检查装置，其特征在于，具有：

工作台，供设置半导体器件；

照射源，射出对上述半导体器件照射的激光或者电子束；

测定器，与上述半导体器件连接，对被照射有上述激光或者上述电子束的区域的位反转进行测定；以及

控制部，对由上述测定器测定出的上述半导体器件的被照射上述激光或者上述电子束的每个区域的位反转的时间进行存储，并通过对所存储的位反转的时间乘以规定的加速系数来计算耐久时间，

上述规定的加速系数是根据使用上述半导体器件的环境的放射线量与对上述半导体器件照射的上述激光或者上述电子束的关系来获得的参数。

9.一种软错误检查系统，其特征在于，

包含权利要求8所述的软错误检查装置，通过上述控制部进行控制。