[发明专利]功率分配合成器

权利要求书

1.一种功率分配合成器，其具有：

公共端子，其输入要分配的高频信号，或输出合成后的高频信号；

第1输入输出端子和第2输入输出端子，它们输出被分配的高频信号，或输入要合成的高频信号；

第1阻抗变换器，其一端与所述公共端子连接，另一端与所述第1输入输出端子连接；

第2阻抗变换器，其一端与所述公共端子连接，另一端与所述第2输入输出端子连接；

隔离电阻，其防止与所述第1输入输出端子有关的高频信号和与所述第2输入输出端子有关的高频信号的干扰；

第1传输线路和第2传输线路，它们连接所述隔离电阻和所述第1输入输出端子；以及

第3传输线路和第4传输线路，它们连接所述隔离电阻和所述第2输入输出端子，

其中，

所述第1传输线路和所述第2传输线路级联连接，

所述第3传输线路和所述第4传输线路级联连接，

所述第1传输线路和所述第3传输线路并行接近配置，并且成为电耦合的第1耦合线路。

2.根据权利要求1所述的功率分配合成器，其中，

将所述第1传输线路和所述第2传输线路合起来的传输线路的电长度、以及将所述第3传输线路和所述第4传输线路合起来的传输线路的电长度在动作频率下比四分之一波长短。

3.根据权利要求1或2所述的功率分配合成器，其中，

在设所述第1输入输出端子中的负载阻抗和所述第2输入输出端子中的负载阻抗为Z0、设所述隔离电阻的电阻值的一半的值为R’时，

所述第1传输线路的阻抗和所述第3传输线路的阻抗在偶模式动作时是比Z0高的值，在奇模式动作时是Z0～R’之间的值。

4.根据权利要求1或2所述的功率分配合成器，其中，

所述第2传输线路和所述第4传输线路并行接近配置，并且成为电耦合的第2耦合线路。

5.根据权利要求1或2所述的功率分配合成器，其中，

在奇模式动作时，在设所述第1传输线路的阻抗和所述第3传输线路的阻抗为Za、设所述隔离电阻的电阻值的一半的值为R’时，

所述第2传输线路的阻抗和所述第4传输线路的阻抗是Za～R’之间的值。

6.根据权利要求1或2所述的功率分配合成器，其中，

所述功率分配合成器具有电介质基板中的以下部件：

电介质基板表层的带状导体，其分别形成所述公共端子、所述第1输入输出端子、所述第2输入输出端子、所述第1阻抗变换器、所述第2阻抗变换器、所述第1传输线路、所述第2传输线路、所述第3传输线路、所述第4传输线路和所述第1耦合线路；以及

芯片电阻器，其被表面安装于该电介质基板，形成所述隔离电阻。

7.根据权利要求1或2所述的功率分配合成器，其中，

所述功率分配合成器构成为具有多层基板中的以下部件：

多层基板内层的带状导体，其分别形成所述公共端子、所述第1输入输出端子、所述第2输入输出端子、所述第1阻抗变换器、所述第2阻抗变换器、所述第1传输线路、所述第2传输线路、所述第3传输线路、所述第4传输线路和所述第1耦合线路；

芯片电阻器，其被表面安装于该多层基板，形成所述隔离电阻；以及

垂直连接导体，其连接所述带状导体和所述芯片电阻器。

8.根据权利要求1或2所述的功率分配合成器，其中，

所述功率分配合成器构成为具有多层基板中的以下部件：

多层基板内层的带状导体，其分别形成所述公共端子、所述第1输入输出端子、所述第2输入输出端子、所述第1阻抗变换器、所述第2阻抗变换器、所述第1传输线路、所述第2传输线路、所述第3传输线路、所述第4传输线路和所述第1耦合线路；

芯片电阻器，其安装于多层基板内层，形成所述隔离电阻；以及

垂直连接导体，其连接所述带状导体和所述芯片电阻器。