[发明专利]功率转换装置

权利要求书

1.一种功率转换装置，其特征在于，包括：

半导体模块，该半导体模块具有第1主端子、第2主端子和第3主端子，并具有第1半导体元件以及第2半导体元件，所述第1半导体元件的漏极电位或集电极电位施加至所述第1主端子，栅极电位施加至第1信号端子，源极电位或发射极电位施加至第3主端子和第2信号端子，所述第2半导体元件的漏极电位或集电极电位施加至所述第3主端子，栅极电位施加至第3信号端子，源极电位或发射极电位施加至第2主端子和第4信号端子，所述第2半导体元件与所述第1半导体元件串联连接；以及

多层基板，该多层基板具有与所述第1信号端子相连接的第1布线、与所述第2信号端子相连接的第2布线、与所述第3信号端子相连接的第3布线以及与所述第4信号端子相连接的第4布线，具有连接有所述第1布线和所述第2布线的第1外部连接端子、连接有所述第3布线和所述第4布线的第2外部连接端子，所述第1布线和所述第3布线夹着绝缘区域形成于所述多层基板内的一层即第1基板层，所述第2布线和所述第4布线夹着绝缘区域形成于所述多层基板内的另一层即第2基板层。

2.如权利要求1所述的功率转换装置，其特征在于，

所述多层基板配置于所述第1主端子与所述第3主端子之间、或者配置于所述第2主端子与所述第3主端子之间。

3.如权利要求1或2所述的功率转换装置，其特征在于，

具有多个所述半导体模块，并且以第1半导体模块和第2半导体模块的所述第1主端子、所述第2主端子和所述第3主端子彼此相邻的方式并排配置。

4.如权利要求3所述的功率转换装置，其特征在于，

所述并排配置的所述第1半导体模块和所述第2半导体模块为同一相。

5.如权利要求4所述的功率转换装置，其特征在于，

所述第1半导体模块和所述第2半导体模块的第1信号端子为相同电位，所述第1半导体模块和所述第2半导体模块的第2信号端子为相同电位，所述第1半导体模块和所述第2半导体模块的第3信号端子为相同电位，并且所述第1半导体模块和所述第2半导体模块的第4信号端子为相同电位。

6.如权利要求3至5中任一项所述的功率转换装置，其特征在于，

所述第1外部连接端子和所述第2外部连接端子配置在所述并排配置的第1半导体模块和第2半导体模块之间。

7.如权利要求1或2所述的功率转换装置，其特征在于，

在所述多层基板设置扼流线圈，该扼流线圈具有第1端子、第2端子、第3端子、及第4端子，第1端子和第2端子连接到所述第1半导体元件或所述第2半导体元件，并且第3端子和第4端子连接到所述第1外部连接端子或所述第2外部连接端子。

8.如权利要求3至6中任一项所述的功率转换装置，其特征在于，

在所述多层基板设置扼流线圈，该扼流线圈具有第1端子、第2端子、第3端子、及第4端子，第1端子和第2端子连接到所述第1半导体元件或所述第2半导体元件，并且第3端子和第4端子连接到所述第1外部连接端子或所述第2外部连接端子。

9.如权利要求7或8所述的功率转换装置，其特征在于，在所述多层基板设置：

第1扼流线圈，在该第1扼流线圈中，第1端子连接到所述第1信号端子，第2端子连接到所述第2信号端子，并且第3端子和第4端子连接到所述第1外部连接端子；以及

第2扼流线圈，在该第2扼流线圈中，第1端子连接到所述第3信号端子，第2端子连接到所述第4信号端子，并且第3端子和第4端子连接到所述第2外部连接端子。