[发明专利]使用选自Co、Mo、W、Zn、Cr和Ni的催化剂制造氯硅烷的方法

权利要求书

1.一种在流化床反应器内制造氯硅烷的方法，该方法包括使包含氯化氢的反应气体与包含超高纯度硅及催化剂的粒状接触物质反应，其中所述催化剂包含选自Co、Mo和W的至少一种元素，并且其中所述氯硅烷具有通式H_nSiCl_4-n和/或H_mCl_6-mSi₂，其中n＝1-4，且m＝0-4。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述催化剂包含选自Zn、Cr和Ni的至少一种元素。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，以所述接触物质计，所述催化剂在所述接触物质中存在的比例为1至900ppmw，优选10至700ppmw，特别优选100至400ppmw。

4.根据前述权利要求之一所述的方法，其特征在于，所述催化剂是以金属形式、氧化形式、碳化形式、合金形式、和/或盐状形式存在于所述接触物质中。

5.根据前述权利要求之一所述的方法，其特征在于，所述接触物质是在多晶硅的沉积中和/或在对多晶硅/复晶硅或单晶硅的机械加工中的副产物。

6.根据前述权利要求之一所述的方法，其特征在于，所述催化剂是来自破碎工具、设备部件和/或管线的磨损料的成分。

7.根据前述权利要求之一所述的方法，其特征在于，所述超高纯度硅的索特平均直径d₃₂为0.5至150μm，优选1至100μm，特别优选5至80μm，尤其是10至80μm。

8.根据前述权利要求之一所述的方法，其特征在于，所述方法在280℃至400℃、优选320℃至380℃、特别优选340℃至360℃的温度下实施。

9.根据前述权利要求之一所述的方法，其特征在于，所述方法在流化床反应器中的绝对压力为0至0.5MPa、优选0.02至0.4MPa、特别优选0.05至0.25Mpa下进行。

10.根据前述权利要求之一所述的方法，其特征在于，氯化氢及超高纯度硅以10:1至3:1、优选7:1至3:1、特别优选5:1至3:1、尤其是3.9:1至3.1:1的摩尔比存在。

11.根据前述权利要求之一所述的方法，其特征在于，所述反应气体包含至少50体积％、优选至少70体积％、特别优选至少90体积％的氯化氢。

12.根据前述权利要求之一所述的方法，其特征在于，填充高度与反应器直径的商为10:1至1:1，优选8:1至2:1，特别优选6:1至3:1。

13.根据前述权利要求之一所述的方法，其特征在于，所述氯硅烷选自一氯硅烷、二氯硅烷、三氯硅烷、Si₂Cl₆、HSi₂Cl₅及它们的混合物。

14.根据前述权利要求之一所述的方法，其特征在于，其被并入到用于制造多晶硅的集成系统中。