[发明专利]用于真空腔室的热处理设备、用于沉积材料于柔性基板上的沉积设备、在真空腔室中热处理柔性基板的方法、及处理柔性基板的方法

说明书

本公开内容提供一种热处理设备(100)，用于在真空腔室(101)中使用。热处理设备(100)包括传送布置，被配置为在纵向方向中施加张力至柔性基板(10)，其中传送布置包括：鼓(110)；以及加热装置，被配置为加热鼓(110)，以用于加热柔性基板(10)至120℃至180℃的第一温度。

技术领域

本公开内容的实施方式涉及一种用于在真空腔室中使用的热处理设备、一种用于沉积材料于柔性基板上的沉积设备、一种在真空腔室中热处理柔性基板的方法、及一种用于处理柔性基板的方法。本公开内容的实施方式特别是涉及薄膜处理设备，例如涉及一种用于处理柔性基板的设备，且更特别是涉及卷对卷(roll-to-roll，R2R)系统。

背景技术

柔性基板的处理可应用于包装产业、半导体产业及其他产业中，柔性基板例如是塑料膜或箔。处理可包括以一或多种涂布材料涂布柔性基板，一或多种涂布材料例如是金属、半导体材料及电介质材料。执行处理方面的处理设备可包括涂布鼓，涂布鼓耦接于用于传送柔性基板的系统。这种卷对卷系统可提供高产量。

柔性基板的加工工艺可能引发机械性质的不均匀性，例如是在横向方向(TD)中的内应力及卷绕硬度(winding hardness)差异。此外，在较高温度下，柔性基板的机械性质可能有显著的改变。举例来说，PET膜的弹性模量可能在高于某个温度时锐减，且所产生的膜刚性(stiffness)的减小负面地影响膜搬运。在较高工艺热负载下，这些因素对卷绕表现(例如波纹(wave)、褶皱(wrinkle)生成)具有重大的影响，所述较高工艺热负载诸如化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)中的固有的热负载。

有鉴于上述，克服本领域中至少一些问题的用于真空腔室中的新的热处理设备、用于沉积材料于柔性基板上的沉积设备、在真空腔室中热处理柔性基板的方法、及用于处理柔性基板的方法是有利的。特别是，能稳定柔性基板的设备及方法是有利的。

发明内容

有鉴于上述，提供一种用于在真空腔室中使用的热处理设备、一种用于沉积材料于柔性基板上的沉积设备、一种在真空腔室中热处理柔性基板的方法、及一种用于处理柔性基板的方法。本公开内容的其他方面、优点及特征由权利要求书、说明书及附图而为显而易见的。

根据本公开内容的一方面，提供一种热处理设备，用于在真空腔室中使用。所述设备包括传送布置，被配置为在纵向方向中施加张力至柔性基板，其中所述传送布置包括鼓；以及加热装置，被配置为加热所述鼓，以用于加热柔性基板至120℃至180℃的第一温度。

根据本公开内容的另外方面，提供一种热处理设备，用于在真空腔室中使用。所述设备包括传送布置，被配置为在纵向方向中施加张力至柔性基板；以及加热装置，具有鼓，所述鼓被配置为加热柔性基板至120℃至180℃的第一温度。

根据本公开内容的另一方面，提供一种沉积设备，用于沉积材料于柔性基板上。所述设备包括：真空腔室；根据本公开内容的热处理设备，位于所述真空腔室中；以及一或多个沉积装置，用于沉积材料于柔性基板的至少一表面上，特别是其中加热装置位于所述一或多个沉积装置之前。

根据本公开内容的另外方面，提出一种在真空腔室中热处理柔性基板的方法。所述方法包括：传送柔性基板；于纵向方向中施加张力至柔性基板；以及利用鼓加热柔性基板至120℃至180℃的第一温度。

根据本公开内容的再另外方面，提供一种用于处理柔性基板的方法。所述方法包括：传送柔性基板；于纵向方向中施加张力至柔性基板；利用鼓加热柔性基板至120至180℃的第一温度；以及沉积材料于柔性基板的至少一表面上。

实施方式亦有关于用于执行所公开的方法的设备，且包括用于执行所描述的各方法方面的设备部件。这些方法方面可通过硬件元件、由合适软件编程的计算机、两者的任何结合或任何其他方式执行。再者，根据本公开内容的实施方式亦有关于用于操作所描述的设备的方法。用于操作所描述的设备的这些方法包括用于执行设备的每个功能的方法方面。