[发明专利]用于制造光电子半导体器件的方法在审
| 申请号： | 201780093661.5 | 申请日： | 2017-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN111279496A | 公开（公告）日： | 2020-06-12 |
| 发明（设计）人： | 张承仲;胡俊杰;伍丽英;雷迦云 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/50 | 分类号： | H01L33/50;H01L33/48;H01L33/54;H01L33/56 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王萍;杨林森 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 制造 光电子 半导体器件 方法 | ||
1.一种用于制造光电子半导体器件(10)的方法，包括以下步骤：
-提供包括多个开口(11)的框部分(1)，
-提供辅助载体(2)，
-将所述辅助载体(2)连接至所述框部分(1)，使得所述辅助载体(2)在所述框部分(1)的下侧(1a)处覆盖所述开口(11)中的至少一些，
-在所述开口(11)中的至少一些中将转换元件(3)放置至所述辅助载体(2)上，
-在所述开口(11)中的至少一些中将光电子半导体芯片(4)放置至所述转换元件(3)上，
-在所述开口(11)中的至少一些中将壳体(5)施加至所述转换元件(3)上以及所述半导体芯片(4)周围，
-移除所述框部分(1)和所述辅助载体(2)。
2.根据前述权利要求所述的方法，其中
所述辅助载体(2)包括具有热释放特性的胶粘带。
3.根据前述权利要求中至少一项所述的方法，其中
所述框部分(1)是窝伏尔组件。
4.根据前述权利要求中至少一项所述的方法，其中
所述转换元件(3)中的至少一个包括B阶硅树脂基材。
5.根据前述权利要求中至少一项所述的方法，其中
所述壳体通过压缩模制来施加。
6.根据前述权利要求中至少一项所述的方法，其中
所述壳体在硅树脂基材中包括TiO2和SiO2的颗粒。
7.根据前述权利要求中至少一项所述的方法，其中
所述转换元件(3)之一和放置在所述转换元件(3)上的所述光电子半导体芯片(4)之一的组合厚度至少为所述框部分的厚度。
8.根据前述权利要求中至少一项所述的方法，其中
所述光电子半导体芯片(4)中的至少一些包括用于电接触所述半导体芯片(4)的接触位置(41，42)，所述接触位置被布置在背离所述转换元件的底表面(43)处。
9.根据前述权利要求中至少一项所述的方法，其中
所述光电子半导体芯片(4)中的至少一些的所述底表面(43)保持没有所述壳体(5)。
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