[发明专利]13族元素氮化物层、自立基板以及功能元件有效
申请号: | 201780093870.X | 申请日: | 2017-09-21 |
公开(公告)号: | CN111033763B | 公开(公告)日: | 2021-02-26 |
发明(设计)人: | 平尾崇行;中西宏和;市村干也;下平孝直;坂井正宏;吉野隆史 | 申请(专利权)人: | 日本碍子株式会社 |
主分类号: | H01L33/16 | 分类号: | H01L33/16;H01L33/32 |
代理公司: | 北京旭知行专利代理事务所(普通合伙) 11432 | 代理人: | 王轶;郑雪娜 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 13 元素 氮化物 自立 以及 功能 元件 | ||
1.一种13族元素氮化物结晶层,其是包含选自氮化镓、氮化铝、氮化铟或它们的混晶中的13族元素氮化物结晶且具有上表面及底面的13族元素氮化物结晶层,其特征在于,
在利用阴极发光观察所述上表面时,具有线状的高亮度发光部和与所述高亮度发光部相邻的低亮度发光区域,
所述高亮度发光部包括沿着所述13族元素氮化物结晶的m面延伸的部分。
2.根据权利要求1所述的13族元素氮化物结晶层,其特征在于,所述高亮度发光部沿着所述13族元素氮化物结晶的所述m面延伸。
3.根据权利要求1所述的13族元素氮化物结晶层,其特征在于,所述上表面的X射线摇摆曲线的(0002)晶面反射的半值宽度为3000秒以下20秒以上。
4.根据权利要求1~3中的任意一项所述的13族元素氮化物结晶层,其特征在于,在与所述13族元素氮化物结晶层的所述上表面垂直的截面上,没有观察到空洞。
5.根据权利要求1~3中的任意一项所述的13族元素氮化物结晶层,其特征在于,所述13族元素氮化物结晶层的所述上表面的位错密度为1×106/cm2以下。
6.根据权利要求5所述的13族元素氮化物结晶层,其特征在于,所述13族元素氮化物结晶层的所述上表面的位错密度为1×102/cm2以上1×106/cm2以下。
7.根据权利要求1~3中的任意一项所述的13族元素氮化物结晶层,其特征在于,所述高亮度发光部形成连续相,所述低亮度发光区域形成由所述高亮度发光部区划开的不连续相。
8.根据权利要求1~3中的任意一项所述的13族元素氮化物结晶层,其特征在于,所述上表面的X射线摇摆曲线的(1000)晶面反射的半值宽度为10000秒以下20秒以上。
9.根据权利要求1~3中的任意一项所述的13族元素氮化物结晶层,其中,所述13族元素氮化物为氮化镓系氮化物。
10.一种自立基板,其特征在于,包含权利要求1~9中的任意一项所述的13族元素氮化物结晶层。
11.一种功能元件,其特征在于,具有:权利要求10所述的自立基板、以及在所述13族元素氮化物结晶层上所设置的功能层。
12.根据权利要求11所述的功能元件,其特征在于,所述功能层的功能为发光功能、整流功能或电力控制功能。
13.一种复合基板,其特征在于,具备:支撑基板、以及在所述支撑基板上所设置的权利要求1~9中的任意一项所述的13族元素氮化结晶物层。
14.一种功能元件,其特征在于,具有:权利要求13所述的复合基板、以及在所述13族元素氮化物结晶层上所设置的功能层。
15.根据权利要求14所述的功能元件,其特征在于,所述功能层的功能为发光功能、整流功能或电力控制功能。
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