[发明专利]带电粒子线装置以及使用其的观察方法、元素分析方法

权利要求书

1.一种带电粒子线装置，其特征在于，具有：

带电粒子源；

载置样品的样品台；

向所述样品照射来自所述带电粒子源的带电粒子线的物镜；

使向所述样品照射所述带电粒子线而放出的二次带电粒子偏转的偏转器；

检测由所述偏转器偏转的所述二次带电粒子的检测器；

对所述样品或者所述样品台施加正电压的样品电压控制部；以及

对所述偏转器使所述二次带电粒子偏转的强度进行控制的偏转强度控制部，

所述检测器对根据由所述样品电压控制部施加至所述样品或者所述样品台的正电压、以及由所述偏转强度控制部控制的使所述二次带电粒子偏转的强度而确定的能量范围的二次带电粒子进行检测。

2.根据权利要求1所述的带电粒子线装置，其特征在于，

该带电粒子线装置具有：

基于由所述检测器检测的所述二次带电粒子进行图像形成的图像形成控制部。

3.根据权利要求1所述的带电粒子线装置，其特征在于，

所述二次带电粒子是在所述样品或者所述样品台为基准电位的情况下具有50eV以下的能量的二次电子。

4.根据权利要求1所述的带电粒子线装置，其特征在于，

该带电粒子线装置具有：

从所述带电粒子源引出带电粒子的引出电极；以及

对所述带电粒子进行加速的加速电极，

将所述加速电极设为基准电位。

5.根据权利要求1所述的带电粒子线装置，其特征在于，

该带电粒子线装置具有：

使所述带电粒子线偏转的扫描器；以及

控制装置，

所述控制装置为了对所述带电粒子线的会聚点的平面方向的位置偏移以及/或者光轴方向的焦点偏移进行校正，而控制所述物镜以及/或者所述扫描器，所述带电粒子线的会聚点的平面方向的位置偏移以及/或者光轴方向的焦点偏移按照由所述样品电压控制部施加至所述样品或者所述样品台的正电压、以及由所述偏转强度控制部控制的使所述二次带电粒子偏转的强度而生成。

6.一种观察方法，使用带电粒子线装置对具有多个组成区域的样品进行观察，其特征在于

在所述带电粒子线装置中，对所述样品或者载置所述样品的样品台施加的正电压、以及使通过带电粒子线向所述样品照射而放出的二次带电粒子朝向检测器偏转的偏转器的强度是可变的，

对于具有第1组成的所述样品的第1区域，使所述正电压以及所述偏转器的强度变化来测定由所述检测器检测的二次带电粒子的检测量，

对于具有第2组成的所述样品的第2区域，使所述正电压以及所述偏转器的强度变化来测定由所述检测器检测的二次带电粒子的检测量，

根据基于针对所述第1区域的二次带电粒子的检测量与针对所述第2区域的二次带电粒子的检测量的差分而决定的所述正电压以及所述偏转器的强度，来形成包含所述第1区域以及所述第2区域的所述样品的二次带电粒子像。

7.根据权利要求6所述的观察方法，其特征在于，

根据使针对所述第1区域的二次带电粒子的检测量与针对所述第2区域的二次带电粒子的检测量的差分最大化的所述正电压以及所述偏转器的强度，来形成包含所述第1区域以及所述第2区域的所述样品的二次带电粒子像。

8.根据权利要求6所述的观察方法，其特征在于，

所述二次带电粒子是在所述样品或者所述样品台为基准电位的情况下具有50eV以下的能量的二次电子。