[发明专利]平面微波谐振器电路的微制造的空气桥

权利要求书

1.一种工艺，包括：

在基础材料的表面上沉积超导膜，

其中，所述超导膜形成有压缩应力，

其中所述压缩应力高于限定结构的临界弯曲应力；

在所述超导膜上形成第一光刻胶图案，

其中，所述光刻胶图案限定至少一个桥；

蚀刻所述超导膜的暴露区域，从而形成所述至少一个桥；

蚀刻所述基础材料，从而在所述至少一个桥和所述基础材料之间形成间隙；

在所述基础材料的至少限定的表面上形成第二光刻胶图案，

其中所述第二光刻胶图案限定用于至少一条金属线的空间；

清洁所述超导膜的至少一部分表面；

在所述超导膜的至少一部分和所述基础材料的至少一部分上沉积所述至少一条金属线，

其中所述至少一条金属线连接所述超导膜的第一部分和所述超导膜的第二部分，

其中所述至少一条金属线在所述桥下延伸；以及

去除所述第二光刻胶图案。

2.一种工艺，包括：

在基础材料的表面上沉积第一超导膜；

在所述第一超导膜的表面上沉积第二超导膜，

其中所述第二超导膜形成有压缩应力，

其中所述压缩应力高于限定结构的临界弯曲应力；

在所述第二超导膜上形成第一光刻胶图案，

其中，所述光刻胶图案限定至少一个桥；

蚀刻所述第二超导膜的暴露区域，从而形成所述至少一个桥；

蚀刻所述第一超导膜，从而在所述至少一个桥与所述基础材料之间形成间隙；

在所述基础材料的至少限定的表面上形成第二光刻胶图案，

其中所述第二光刻胶图案限定用于至少一条金属线的空间；

清洁所述第二超导膜的至少一部分表面；

在所述第二超导膜的至少一部分和所述基础材料的至少一部分上沉积所述至少一条金属线，

其中所述至少一条金属线连接所述第二超导膜的第一部分和所述第二超导膜的第二部分，

其中所述至少一条金属线在所述桥下延伸；以及

去除所述第二光刻胶图案。

3.如权利要求1或2所述的方法，其进一步包括将所述至少一个桥拉离所述基础材料。

4.如权利要求3所述的方法，其中，所述拉离包括通过使用静电力将所述至少一个桥拉离所述基础材料。

5.如权利要求1或2所述的方法，其中，所述沉积所述至少一条金属线是通过蒸发进行的。

6.如权利要求1或2所述的方法，

其中第一光刻胶图案限定一组一个或多个孔，

其中，设置该组一个或多个孔的尺寸，以使得可以通过所述一个或多个孔蚀刻所述基础材料，以及

其中设置该组一个或多个孔的尺寸使得不能通过该组一个或多个孔沉积金属。

7.如权利要求1或2所述的方法，

其中所述第一光刻胶图案限定一组一个或多个孔，

其中，设置所述该组一个或多个孔的大小，以使可以通过该组一个或多个孔沉积金属。

8.如权利要求1或2所述的方法，其中，所述基础材料是硅。

9.如权利要求1或2所述的方法，其中，所述超导膜包括选自铝和铌的组的材料。

10.如权利要求1或2所述的方法，其中，所述至少一条金属线是铝。

11.一种结构，包括：

基础材料；

在所述基体材料上形成具有压缩应力的第一金属层；以及

在所述第一层上形成的一层或多层金属，

其中所述一个或多层的压缩应力大于所述第一层的压缩应力。

12.如权利要求11所述的结构，其中，所述一个或多个层中的每个层的压缩应力不同于所述第一层和所述一个或多个层中的先前层的压缩应力。