[发明专利]导电过孔及金属线端制造及由其所得的结构在审
| 申请号： | 201780094240.4 | 申请日： | 2017-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN111052345A | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | C·H·华莱士;R·帕特尔;H·朴;M·K·哈兰;D·巴苏;C·W·沃德;R·A·布雷恩 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 林金朝 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 导电 金属线 制造 所得 结构 | ||
1.一种互连结构，包括：
硬掩模层上的第一层间电介质(ILD)，其中，所述ILD包括第一ILD开口和第二ILD开口；
所述ILD层上的蚀刻停止层(ESL)，其中，所述ESL包括与所述第一ILD开口对准以形成第一过孔开口的第一ESL开口，并且其中，所述ESL层包括与所述第二ILD开口对准的第二ESL开口；
所述第一过孔开口中的第一过孔；
所述第一ESL上的第二ILD层；
所述第二ILD层中的金属线，其中，所述金属线与所述第一过孔接触，并且其中，所述金属线包括第一金属开口，并且其中，所述金属线包括与所述第二ILD开口和所述ESL开口对准以形成第二过孔开口的第二金属开口；
所述第一金属开口中的金属线端；以及
所述金属线中的第二过孔，其中，所述第二过孔在所述第二过孔开口中。
2.根据权利要求1所述的互连结构，其中，所述第一过孔是栅极过孔，并且其中，所述第二过孔是扩散过孔。
3.根据权利要求1所述的互连结构，其中，所述第一ILD层包括第一电介质材料，并且所述第二ILD层包括第二电介质材料。
4.根据权利要求3所述的互连结构，其中，所述第一ILD层和所述第二ILD层包括相同的电介质材料。
5.根据权利要求1所述的互连结构，其中，所述第二ILD层和所述金属线端包括相同的电介质材料。
6.根据权利要求1所述的互连结构，其中，所述硬掩模层包括与第二材料相邻的第一材料，其中，如果蚀刻所述第二材料，则所述第一材料能够保留。
7.根据权利要求6所述的互连结构，还包括：
半导体器件，其中，所述半导体器件包括，
半导体衬底；
所述半导体衬底上的栅极触点，其中，所述第一过孔是通过去除所述硬掩模层中的所述第一材料的一部分而与所述栅极触点接触的栅极过孔；以及
所述半导体衬底上的扩散触点，其中，所述第二过孔是通过去除所述硬掩模层中的所述第二材料的一部分而与所述扩散触点接触的扩散过孔。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
