[发明专利]针对锗NMOS晶体管的用以减少源极/漏极扩散的经掺杂的STI

权利要求书

1.一种集成电路（IC），其包括：

半导体主体，其包括按原子百分比至少75％的锗；

在所述半导体主体上的栅极结构，所述栅极结构包括栅极电介质和栅电极；

源极区域和漏极区域，其均与所述栅极结构相邻，使得所述栅极结构处于所述源极和漏极区域之间，所述源极区域和所述漏极区域中的至少一个包括n型杂质；以及

浅沟槽隔离（STI）区域，其邻近所述源极区域和所述漏极区域中的所述至少一个，所述STI区域包括所述n型杂质。

2.根据权利要求1所述的IC，其中，所述n型杂质是磷。

3.根据权利要求1所述的IC，其中，在所述STI区域中的所述n型杂质的浓度在1至10原子百分比的范围内。

4.根据权利要求1所述的IC，还包括所述STI区域的延伸，所述STI区域的所述延伸邻近所述半导体主体的在所述栅极结构下方的区域，所述STI区域的所述延伸不包括所述n型杂质。

5.根据权利要求1所述的IC，其中，所述STI区域的厚度在10纳米至100纳米的范围内，所述厚度是所述源极区域和所述漏极区域中的所述至少一个与第二STI区域之间的距离，所述第二STI区域与相邻的第二半导体主体相关联。

6.根据权利要求1所述的IC，其中，所述半导体主体还包括硅、铟、镓、砷、锑和氮中的至少一种。

7.根据权利要求1所述的IC，其中，所述半导体主体的锗浓度为98原子百分比或更高。

8.根据权利要求1所述的IC，其中，所述半导体主体还包括按原子百分比最高达2％的锡。

9.根据权利要求1至8中的任一项所述的IC，其中，除了所述n型杂质之外，所述源极区域和漏极区域在组成上与所述半导体主体不同，所述源极区域和漏极区域包括硅和锗中的至少一种。

10.根据权利要求1至8中的任一项所述的IC，其中，除了所述n型杂质之外，所述源极区域和漏极区域在组成上与所述半导体主体不同，所述源极区域和漏极区域还包括硅、铟、镓、砷、锑和氮中的至少一种。

11.根据权利要求1至8中的任一项所述的IC，其中，所述源极区域和漏极区域还包括按原子百分比最高达2％的锡。

12.根据权利要求1至8中的任一项所述的IC，其中，所述n型杂质是砷。

13.根据权利要求1至8中的任一项所述的IC，其中，被包括在邻近所述源极区域和所述漏极区域中的所述至少一个的所述STI区域中的n型杂质包括提供抗扩散属性的化学组成。

14.根据权利要求1至8中的任一项所述的IC，其中，所述半导体主体在鳍根上，并且所述STI区域在所述鳍根的相对的侧壁上以及所述半导体主体的相对的侧壁上。

15.根据权利要求14所述的IC，其中，所述源极区域和所述漏极区域中的所述至少一个在所述鳍根上，并且所述STI区域在所述鳍根的相对的侧壁上以及所述源极区域和所述漏极区域中的所述至少一个的相对的侧壁上。

16.根据权利要求14所述的IC，其中，所述鳍根是下面的半导体衬底的一部分。

17.根据权利要求16所述的IC，其中，所述衬底是硅，并且所述半导体主体包括锗、镓、砷、铟、锑和氮中的至少一种。