[发明专利]具有集成管芯附接膜的电源增强堆叠芯片级封装方案

说明书

一种设备，包括：包括至少一个管芯对的管芯堆叠体，所述至少一个管芯对具有第二管芯之上的第一管芯，第一管芯和第二管芯都具有第一表面和第二表面，第一管芯的第二表面在第二管芯的第一表面之上；以及在至少一个管芯对的第一管芯和第二管芯之间的粘合膜；其中粘合膜包括绝缘层和导电层，绝缘层粘附到第一管芯的第二表面并且导电层粘附到第二管芯的第一表面。

背景技术

在当前的封装架构中，电源接合焊盘位于硅管芯的边缘，这增大了引线接合密度。另外，电源焊盘会与沿管芯边缘的信号焊盘竞争空间。电源分配需要从位于管芯边缘的电源焊盘布线到管芯内的点的迹线，这增大了迹线密度。

附图说明

从下文给出的具体实施方式和本公开的各个实施例的附图，可以更完整地理解本公开的实施例，不过，下文的具体实施方式和附图不应被视为将本公开限制到具体实施例，而应仅被视为用于解释和理解。

图1A示出了在两个管芯之间具有双层管芯附接膜(DLDAF)层的部分完成的瓦片管芯堆叠体组件的截面图。

图1B示出了根据本公开的一些实施例的图1A的瓦片管芯堆叠体的平面图，其示出了分布于远离管芯边缘的上管芯表面上的接合焊盘。

图2A示出了根据本公开的一些实施例的顶部具有间隔体管芯的示例性瓦片管芯堆叠体组件的截面图，其中在相邻管芯之间具有DLDAF层。

图2B示出了根据本公开的一些实施例的在相邻管芯之间具有DLDAF层的示例性直上式管芯堆叠体组件的截面图。

图3A示出了根据本公开的一些实施例的DLDAF的一部分的截面图。

图3B示出了根据本公开的一些实施例的三层管芯附接膜(TLDAF)的一部分的截面图。

图3C示出了根据本公开的一些实施例的具有分布于管芯的顶表面之上并被DLDAF的一段覆盖的电源焊盘的管芯的平面图。

图4示出了根据本公开的一些实施例的在相邻双侧管芯之间具有三层管芯附接膜(TLDAF)的示例性瓦片管芯堆叠体的截面图。

图5示出了根据本公开的一些实施例的用于组装具有DLDAF的管芯堆叠体的工艺流程的流程图。

图6A-图6F示出了根据一些实施例的组装瓦片管芯堆叠体的示例性方法的截面图。

图7示出了根据本公开的一些实施例的作为计算装置实施方式中的片上系统(SoC)封装的部分的、具有在垂直管芯堆叠体中包括连接多个管芯的DLDAF或TLDAF的堆叠芯片级封装(SCSP)的封装。

具体实施方式

描述了一种堆叠芯片级封装(SCSP)架构，该架构采用了双层导电管芯附接膜(DAF)，该管芯附接膜具有与非导电粘合层集成的至少一个导电粘合层，以用于在垂直堆叠体中附接管芯。在一些实施例中，绝缘层夹置于两个导电粘合层之间，形成三层导电DAF。在一些SCSP实施方式的实施例中，堆叠体中的管芯在顶侧承载接合焊盘。因此，双层导电DAF插置在垂直管芯堆叠体中的相邻管芯之间。导电层粘附到下方管芯的顶侧并与顶侧上存在的接合焊盘和端子形成接触部。绝缘层粘附到上方管芯的底侧，那里没有接合焊盘或端子。在一些实施例中，电源接合焊盘和/或端子沿管芯的顶侧位于接合边缘和后边缘之间的位置。

在常规管芯架构中，电源接合焊盘全部与信号接合焊盘一起位于接合边缘处。分布式电源端子布局可以向由管芯承载的集成电路提供增强的电源输送。位于边缘的电源接合焊盘通常由内部迹线金属化连接到管芯上或管芯内承载的集成电路。各实施例的架构为管芯上或管芯内承载的集成电路的设计提供了更大的灵活性。根据一些实施例，向集成电路的电源输送是由外部耦合供应的，这样消除了对从管芯边缘延伸的内部迹线布线的依赖。