[发明专利]使用嵌入式桥管芯的水平间距转换在审

专利信息
申请号: 201780094488.0 申请日: 2017-09-29
公开(公告)号: CN111052369A 公开(公告)日: 2020-04-21
发明(设计)人: S·沙兰;K·艾京;钱治国;Y·梅孔内恩;张志超;谢建勇 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: H01L25/065 分类号: H01L25/065;H01L23/00;H01L23/498
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 邬少俊
地址: 美国加*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 使用 嵌入式 管芯 水平 间距 转换
【说明书】:

描述了连结各封装结构的方法/结构。这些方法/结构可以包括设置在衬底的表面上的管芯,其中,所述管芯包括多个高密度特征。互连桥嵌入衬底中,其中,互连桥可以包括设置在该互连桥的表面上的包括第一多个特征的第一区域,其中,所述第一多个特征包括第一间距。设置在互连桥的表面上的第二区域包括具有第二间距的第二多个特征,其中,所述第二间距大于所述第一间距。

背景技术

随着微电子制作工艺朝着更小的节点进步并且随着晶体管密度增大,微电子芯片/器件的面积已经变得更小。该更小的器件尺寸以及因此带来的引脚数量的增大可能导致管芯/器件包括精细的凸块间距。由于增加了制作要求和成本,例如,使硅内插器与穿硅过孔集成,因而使具有非常精细的凸块间距的管芯接合至封装衬底变得有挑战性。

附图说明

尽管说明书所归结的权利要求特别指出了某些实施例并且清楚地主张所述实施例的权利,但是通过结合附图阅读下面的描述可以更容易地确定这些实施例的优点,在附图中:

图1a表示根据实施例的封装结构的顶视图。

图1b表示根据实施例的封装结构的顶视图。

图2表示根据实施例的封装结构的截面图。

图3a表示根据实施例的封装结构的部分的顶视图。

图3b示出了根据实施例的封装结构的部分的顶视图。

图3c示出了根据实施例的封装结构的部分的顶视图。

图4表示根据实施例的形成封装结构的方法的流程图。

图5表示根据实施例的计算装置的示意图。

具体实施方式

在下文的具体实施方式中,将参考以举例说明方式示出了可以实践方法和结构的具体实施例的附图。将对这些实施例予以充分详细的描述,从而使本领域技术人员能够实践所述实施例。应当理解,各种实施例尽管是不同的,但未必是互斥的。例如,在文中结合一个实施例描述的特定特征、结构或特性可以在其他实施例中实施,而不脱离实施例的精神和范围。此外,应当理解,可以对所公开的每一实施例中的个体元件的位置或布置做出修改,而不脱离实施例的精神和范围。

因此,不应从限定的意义上考虑下文的具体实施方式,并且实施例的范围仅由所附权利要求限定,其中,要连同使权利要求享有权力的等同物的全部范围对所附权利要求的范围加以适当的解释。在附图中,类似的附图标记可以指几幅图中的相同或类似功能。本文所使用的术语“在...之上”、“到”、“在...之间”和“在...上”可以指一层相对于其他层的相对位置。一层在另一层“之上”或“上”或者接合“到”另一层可以直接与所述另一层接触或可以具有一个或多个中间层。处于层“之间”的一层可以直接与所述层接触,或者可以具有一个或多个中间层。层和/或结构彼此“相邻”可以或者可以不具有处于其间的中间结构/层。(多个)层/(多个)结构直接处于另一(多个)层/(多个)结构上或者直接与另一(多个)层/(多个)结构接触可以不具有处于其间的(多个)中间层/(多个)结构。

可以在诸如封装衬底的衬底上形成或者执行文中实施例的各种实施方式。封装衬底可以包括能够提供管芯(例如集成电路(IC)管芯)与微电子封装可以耦合至的下一级部件(例如,电路板)之间的电通信的任何适当类型的衬底。在另一实施例中,衬底可以包括能够在IC管芯和与下部IC/管芯封装耦合的上部IC封装之间提供电通信的任何适当类型的衬底,并且在又一实施例中,衬底可以包括能够在上部IC封装和IC封装耦合至的下一级部件之间提供电通信的任何适当类型的衬底。

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