[发明专利]一种MEMS同轴滤波器和制作方法

权利要求书

1.一种MEMS同轴滤波器，其特征在于，所述MEMS同轴滤波器包括：

两面抛光的结构层圆片；

由金属壁或金属化通孔实现电壁的硅介质腔体；

由金属化盲孔实现的内部同轴结构；

所述MEMS同轴滤波器采用SIW谐振器结构，在SIW谐振器结构中心刻蚀盲孔；

其中，在所述结构层圆片的正面具有哑铃形状的金属图案，所述金属图案位于两个谐振腔之间，用于产生电耦合；在电耦合金属图案下方，所述结构层圆片的背面，在金属化盲孔刻蚀步骤同时刻蚀孔或槽，以抑制两个谐振腔之间的磁耦合。

2.根据权利要求1所述的MEMS同轴滤波器，其特征在于：所述结构层圆片为高阻硅片，所述MEMS同轴滤波器还包括承载片，所述高阻硅片和承载片以圆片级键合的方式键合在一起。

3.根据权利要求1所述的MEMS同轴滤波器，其特征在于，所述结构层圆片为SOI片，所述MEMS同轴滤波器还包括承载片，所述SOI片和承载片以圆片级键合的方式键合在一起。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的MEMS同轴滤波器，其特征在于，所述MEMS同轴滤波器的谐振频率基于以下任一种方式进行调节：

-改变硅介质腔体的大小；

-改变金属化盲孔的直径大小。

5.一种用于制作采用SIW结构的MEMS同轴滤波器的方法，其中，所述MEMS同轴滤波器的结构层圆片为SOI片，所述方法包括以下步骤:

-对所述SOI片的背面进行ICP刻蚀，在二氧化硅层停止刻蚀；

-将暴露的二氧化硅层移除；

-对SOI片的正面进行ICP刻蚀；

-将SOI片双面金属化，并制作端口结构和电耦合结构；

其中，在所述结构层圆片的正面具有哑铃形状的金属图案，所述金属图案位于两个谐振腔之间，用于产生电耦合；在电耦合金属图案下方，所述结构层圆片的背面，在金属化盲孔刻蚀步骤同时刻蚀孔或槽，以抑制两个谐振腔之间的磁耦合。

6.一种用于制作MEMS同轴滤波器的方法，其中，所述MEMS同轴滤波器的结构层圆片为高阻硅片，所述方法包括以下步骤:

-对所述高阻硅片的背面进行ICP刻蚀；

-将经过ICP刻蚀的高阻硅片的背面金属化；

-将经过金属化的高阻硅片和承载片以圆片级键合的方式键合在一起；

-对高阻硅片的正面进行ICP刻蚀；

-将经过ICP刻蚀的高阻硅片正面金属化，并制作端口结构和电耦合结构；

其中，在所述结构层圆片的正面具有哑铃形状的金属图案，所述金属图案位于两个谐振腔之间，用于产生电耦合；在电耦合金属图案下方，所述结构层圆片的背面，在金属化盲孔刻蚀步骤同时刻蚀孔或槽，以抑制两个谐振腔之间的磁耦合。

7.一种用于制作MEMS同轴滤波器的方法，其中，所述MEMS同轴滤波器的结构层圆片为SOI片，所述方法包括以下步骤:

-对所述SOI片的背面进行ICP刻蚀，并在二氧化硅层停止刻蚀；

-将暴露的二氧化硅层移除；

-将经过ICP刻蚀的SOI片的背面金属化；

-将经过金属化的SOI片和承载片以圆片级键合的方式键合在一起；

-对SOI片的正面进行ICP刻蚀，并在金属层停止刻蚀；

-将经过ICP刻蚀的SOI片的正面金属化，并制作端口结构和电耦合结构；

其中，在所述结构层圆片的正面具有哑铃形状的金属图案，所述金属图案位于两个谐振腔之间，用于产生电耦合；在电耦合金属图案下方，所述结构层圆片的背面，在金属化盲孔刻蚀步骤同时刻蚀孔或槽，以抑制两个谐振腔之间的磁耦合。