[发明专利]微电子组件在审
申请号: | 201780095385.6 | 申请日: | 2017-12-29 |
公开(公告)号: | CN111149201A | 公开(公告)日: | 2020-05-12 |
发明(设计)人: | S·M·利夫;A·A·埃尔谢尔比尼;J·M·斯旺 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L25/065 | 分类号: | H01L25/065;H01L23/485 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 戴开良 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 微电子 组件 | ||
1.一种微电子组件,包括:
第一管芯,所述第一管芯包括第一面和第二面;以及
第二管芯,所述第二管芯包括第一面和第二面,其中,所述第二管芯还包括在所述第一面处的多个第一导电触点和在所述第二面处的多个第二导电触点,并且所述第二管芯在所述微电子组件的第一级互连触点与所述第一管芯之间。
2.根据权利要求1所述的微电子组件,其中,所述第一管芯还包括:
在所述第一管芯的所述第一面处的多个第一导电触点,其与所述微电子组件的所述第一级互连触点互连;以及
在所述第一管芯的所述第一面处的多个第二导电触点,其与所述第二管芯互连。
3.根据权利要求2所述的微电子组件,其中,在所述第一管芯的所述第一面处的所述多个第二导电触点的集合具有相同的间距并且互连到所述第二管芯。
4.根据权利要求2所述的微电子组件,其中,在所述第一管芯的所述第一面处的所述多个第二导电触点的第一集合具有第一间距,所述第一管芯的所述多个第二导电触点的第二集合具有第二间距,所述第一集合和所述第二集合互连到所述第二管芯,并且所述第一间距和所述第二间距不同。
5.根据权利要求1所述的微电子组件,其中,所述微电子组件还包括:
重分布层(RDL),其中,所述RDL包括一个或多个互连结构,并且所述第二管芯在所述第一管芯与所述RDL的至少一部分之间。
6.根据权利要求5所述的微电子组件,其中,以下各项中的至少一项:
所述RDL的一个互连结构包括在所述第一管芯的至少一个第一导电触点与所述微电子组件的至少一个第一级互连触点之间的导电路径;
所述RDL的一个互连结构包括在所述第二管芯的至少一个第二导电触点与所述微电子组件的至少一个第一级互连触点之间的导电路径;
所述RDL的一个互连结构包括在所述第一管芯的至少一个第一导电触点与所述第二管芯的至少一个第二导电触点之间的导电路径;以及
所述RDL的一个互连结构包括在所述第二管芯的至少两个第二导电触点之间的导电路径。
7.根据权利要求1所述的微电子组件,其中,所述第二管芯包括管芯衬底、金属化堆叠体、以及在所述管芯衬底与所述金属化堆叠体之间的器件层,并且其中,所述管芯衬底在封装衬底与所述器件层之间。
8.根据权利要求1所述的微电子组件,其中,所述第二管芯包括管芯衬底、金属化堆叠体、以及在所述管芯衬底与所述金属化堆叠体之间的器件层,并且其中,所述器件层在封装衬底与所述管芯衬底之间。
9.根据权利要求1所述的微电子组件,其中,所述第二管芯包括第一金属化堆叠体、第二金属化堆叠体、以及在所述第一金属化堆叠体与所述第二金属化堆叠体之间的器件层。
10.根据权利要求1-9中任一项所述的微电子组件,其中,所述第二管芯是多个第二管芯中的单个第二管芯。
11.根据权利要求10所述的微电子组件,其中,至少一个第二管芯具有第一厚度,并且至少另一个第二管芯具有第二厚度,所述第二厚度与所述至少一个第二管芯的所述第一厚度不同。
12.根据权利要求9所述的微电子组件,还包括在所述多个第二管芯与所述第一管芯之间的绝缘层。
13.根据权利要求12所述的微电子组件,其中,所述多个第二管芯中的至少两个第二管芯经由所述绝缘层的互连结构而互连。
14.根据权利要求12所述的微电子组件,其中,所述绝缘层是第一绝缘层,并且所述微电子组件还包括在所述多个第二管芯中的至少一个第二管芯与所述第一绝缘层之间的第二绝缘层。
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