[发明专利]用于高级集成电路结构制造的鳍状物图案化

权利要求书

1.一种集成电路结构，包括：

沿第一方向具有最长尺寸的第一多个半导体鳍状物，其中，所述第一多个半导体鳍状物中的相邻的个体半导体鳍状物在与所述第一方向正交的第二方向上彼此间隔开第一量；以及

沿所述第一方向具有最长尺寸的第二多个半导体鳍状物，其中，所述第二多个半导体鳍状物中的相邻的个体半导体鳍状物在所述第二方向上彼此间隔开所述第一量，并且其中，所述第一多个半导体鳍状物和所述第二多个半导体鳍状物中最接近的半导体鳍状物在所述第二方向上彼此间隔开第二量，所述第二量大于所述第一量但小于所述第一量的两倍。

2.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述第一多个半导体鳍状物和所述第二多个半导体鳍状物包括硅。

3.根据权利要求1或2所述的集成电路结构，其中，所述第一多个半导体鳍状物和所述第二多个半导体鳍状物与下面的单晶硅衬底连续。

4.根据权利要求1、2或3所述的集成电路结构，其中，所述第一多个半导体鳍状物和所述第二多个半导体鳍状物中的个体半导体鳍状物具有从所述第一多个半导体鳍状物和所述第二多个半导体鳍状物中的个体半导体鳍状物的顶部到底部沿所述第二方向向外逐渐变细的侧壁。

5.根据权利要求1、2、3或4所述的集成电路结构，其中，所述第一多个半导体鳍状物正好具有五个半导体鳍状物，并且所述第二多个半导体鳍状物正好具有五个半导体鳍状物。

6.一种制造集成电路结构的方法，所述方法包括：

形成第一初级骨干结构和第二初级骨干结构；

形成与所述第一初级骨干结构和所述第二初级骨干结构的侧壁相邻的初级间隔体结构，其中，所述第一初级骨干结构与所述第二初级骨干结构之间的初级间隔体结构被融合。

去除所述第一初级骨干结构和所述第二初级骨干结构，并提供第一次级骨干结构、第二次级骨干结构、第三次级骨干结构和第四次级骨干结构，其中，所述第二次级骨干结构和所述第三次级骨干结构被融合；

形成与所述第一次级骨干结构、所述第二次级骨干结构、所述第三次级骨干结构和所述第四次级骨干结构的侧壁相邻的次级间隔体结构；

去除所述第一次级骨干结构、所述第二次级骨干结构、所述第三次级骨干结构和所述第四次级骨干结构；以及

利用所述次级间隔体结构对半导体材料进行图案化，以在所述半导体材料中形成半导体鳍状物。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，利用所述第一初级骨干结构与所述第二初级骨干结构之间的子设计规则间隔对所述第一初级骨干结构和所述第二初级骨干结构进行图案化。

8.根据权利要求6或7所述的方法，其中，所述半导体材料包括硅。

9.根据权利要求6、7或8所述的方法，其中，所述半导体鳍状物中的个体半导体鳍状物具有从所述半导体鳍状物中的个体半导体鳍状物的顶部到底部沿所述第二方向向外逐渐变细的侧壁。

10.根据权利要求6、7、8或9所述的方法，其中，所述半导体鳍状物与下面的单晶硅衬底连续。

11.根据权利要求6、7、8、9或10所述的方法，其中，利用所述次级间隔体结构对所述半导体材料进行图案化包括：形成沿第一方向具有最长尺寸的第一多个半导体鳍状物，其中，所述第一多个半导体鳍状物中的相邻的个体半导体鳍状物在与所述第一方向正交的第二方向上彼此间隔开第一量；以及形成沿所述第一方向具有最长尺寸的第二多个半导体鳍状物，其中，所述第二多个半导体鳍状物中的相邻的个体半导体鳍状物沿所述第二方向彼此间隔开所述第一量，并且其中，所述第一多个半导体鳍状物和所述第二多个半导体鳍状物中最接近的半导体鳍状物在所述第二方向上彼此间隔开第二量，所述第二数量大于所述第一量。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述第二量小于所述第一量的两倍。