[发明专利]界面特性得到提升的钝化发射极背面接触(PERC)太阳能电池制造方法以及制造装置在审
申请号: | 201780095430.8 | 申请日: | 2017-09-04 |
公开(公告)号: | CN111149217A | 公开(公告)日: | 2020-05-12 |
发明(设计)人: | 李炫澔;崔炳閏;韩钟国;崔钟圣;金玟镐;容汉内尔·马蒂亚斯;贾泽姆博夫斯基·恩里科;彼得斯·斯特凡 | 申请(专利权)人: | 韩华株式会社;韩华QCELLS有限公司 |
主分类号: | H01L31/05 | 分类号: | H01L31/05;H01L31/18;H01L31/068 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 钟晶;钟海胜 |
地址: | 韩国首*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 界面 特性 得到 提升 钝化 发射极 背面 接触 perc 太阳能电池 制造 方法 以及 装置 | ||
一种钝化发射极背面接触(PERC)太阳能电池的制造方法以及制造装置,包括:将钝化发射极背面接触(PERC)太阳能电池的基板投入到腔室中并在上述腔室内的基板的背面形成钝化层的钝化层形成步骤;以及,形成对上述钝化层进行覆盖的遮盖层的遮盖层形成步骤;其中,在形成上述遮盖层之前,将在上述腔室内执行在沉积形成上述钝化层之后对上述钝化层进行退火的沉积后退火(PDA,Post‑deposition annealing)步骤。
技术领域
本发明涉及一种能够提升高效率太阳能电池中的一种即钝化发射极背面接触(PERC)太阳能电池的界面特性的制造方法以及制造装置。
背景技术
近年来随着严重的环境污染问题和化石能源的枯竭,开发出新一代洁净能源的重要性日益显著。
其中,太阳能电池因为具有公害少、资源无限且寿命半永久的特点而作为解决未来能源问题的主要手段备受关注。
在开发太阳能电池时,需要实现高效率化。作为高效率晶体硅太阳能电池的实例,包括钝化发射极背面接触(PERC,Passitive Emitter Rear Cell)太阳能电池(Solarcells)。
作为与钝化发射极背面接触(PERC,Passivated Emitter Rear Cell)太阳能电池相关的技术,包括澳大利亚的新南威尔士大学(UNSW,University of New South Wales)的钝化发射极背面局域扩散(PERL,Passivated Emitter and Rear Locally-diffused),能够达到约25%左右的效率。
钝化发射极背面局域扩散(PERL)的表面是以倒金字塔形结构进行制绒处理,在其上方形成双重防反射涂膜(ARC:Anti-reflective coating),且在其背面的一部分形成p+层,并通过在其前后面形成氧化层而减少在表面上的再结合现象。通过在正面电极的下侧形成n+层,减少电极与硅层之间的接触电阻。
但是,钝化发射极背面局域扩散(PERL)电池因为其工程非常复杂且工程所需时间较长而不适合于进行量产,只能适用于如外太空或太阳能飞机等要求高效率的特定市场领域。
因此,作为在高效率太阳能电池即钝化发射极背面接触(PERC)太阳能电池中为了提升钝化发射极背面接触(PERC)太阳能电池的效率并进行量产而需要的技术,需要对克服形成电极时的丝网印刷技术的性能极限、形成微细金属电极、减小电极与硅层之间的接触面的面积以及表面钝化(Passivation)技术等进行研究开发。
发明内容
本发明提供一种能够通过提升钝化发射极背面接触(PERC)太阳能电池的钝化(Passivation)界面的特性而提升钝化发射极背面接触(PERC)太阳能电池的效率并确保其量产性的制造方法以及制造装置。
作为一实施例,适用本发明的钝化发射极背面接触(PERC)太阳能电池的制造方法,包括:将钝化发射极背面接触(PERC)太阳能电池的基板投入到腔室中并在上述腔室内的基板的背面形成钝化层的钝化层形成步骤;以及,形成对上述钝化层进行覆盖的遮盖层的遮盖层形成步骤。
作为一实施例,在形成上述遮盖层之前,将在上述腔室内执行在沉积形成上述钝化层之后对上述钝化层进行退火的沉积后退火(PDA,Post-deposition annealing)步骤。
作为一实施例,上述钝化层是在上述基板上生长形成的AlOx膜。
作为一实施例,上述遮盖层是在上述钝化层上生长形成的SiNx膜。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的