[发明专利]用于超导谐振器的器件、方法和系统有效
申请号: | 201780095940.5 | 申请日: | 2017-12-13 |
公开(公告)号: | CN111226323B | 公开(公告)日: | 2023-05-23 |
发明(设计)人: | S.B.奥利瓦德斯 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | H10N60/01 | 分类号: | H10N60/01 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邸万奎 |
地址: | 美国纽*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 超导 谐振器 器件 方法 系统 | ||
1.一种超导耦合器件,包括:
互连在网格中的一组超导器件,其中所述网格在单个二维制造平面中制造,使得超导连接只能通过跨过也位于所述平面中的第二超导器件的组件到达所述组中的第一超导器件,而同时保持在所述平面中;
超导耦合器,形成在所述第一超导器件的超导连接中,所述超导耦合器件具有跨度和间隙高度,其中所述超导耦合器件的一部分通过平行平面中的间隙与所述第二超导器件的组件分离;和
所述组件的第一侧上的第一接地平面,其中所述超导耦合器件将所述第一接地平面的电势与所述组件的第二侧上的第二接地平面的电势均衡。
2.根据权利要求1所述的超导耦合器件,其中所述超导耦合器包括谐振器,并且其中所述谐振器使用引线键合形成。
3.根据权利要求1所述的超导耦合器件,其中所述超导耦合器包括谐振器,并且其中所述谐振器使用共面波导形成。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的超导耦合器件,还包括:
在所述第一接地平面和所述第二接地平面之间的接地平面耦合。
5.根据权利要求4所述的超导耦合器件,其中所述接地平面耦合是超导耦合。
6.根据权利要求5所述的超导耦合器件,其中所述超导耦合器包括超导谐振器,并且其中所述超导谐振器和所述超导耦合的形状和材料与所述超导谐振器的形状和材料相同。
7.根据权利要求1-3中任一项所述的超导耦合器件,还包括:
所述超导耦合器的上升部分,其中所述上升部分将所述超导耦合器的一个端耦合到所述组件的第一侧上的超导连接的一个部分;和
所述超导耦合器的重新结合部分,其中所述重新结合部分将所述超导耦合器的第二端耦合到所述组件的相对侧上的超导连接的第二部分。
8.根据权利要求1-3中任一项所述的超导耦合器件,其中所述间隙至少等于阈值间隙,并且其中在所述组件和所述超导耦合器之间形成绝缘体以产生所述间隙。
9.根据权利要求1-3中任一项所述的超导耦合器件,其中所述第一超导器件是第一量子比特,其中所述第二超导器件是第二量子比特,其中所述第一超导器件的超导连接是所述第一量子比特的读取线,并且其中所述第二超导器件的组件是所述第二量子比特的谐振线。
10.一种用于超导耦合器件的方法,包括:
互连网格中的一组超导器件,其中所述网格在单个二维制造平面中制造,使得超导连接只能通过跨过也位于所述平面中的第二超导器件的组件到达所述组中的第一超导器件,而同时保持在该平面中;
在所述第一超导器件的超导连接中形成超导耦合器件,所述超导耦合器件具有跨度和间隙高度,其中所述超导耦合器件的一部分通过平行平面中的间隙与所述第二超导器件的组件分离;以及
使用所述超导耦合器件,将所述组件的第一侧上的第一接地平面的电势与所述组件的第二侧上的第二接地平面的电势均衡。
11.根据权利要求10所述的方法,其中所述超导耦合器件包括谐振器,并且其中所述谐振器使用引线键合形成。
12.根据权利要求10所述的方法,其中所述超导耦合器件包括谐振器,并且其中所述谐振器使用共面波导形成。
13.根据权利要求10至12中任一项所述的方法,还包括:
作为形成所述超导耦合器件的一部分,在所述第一接地平面和所述第二接地平面之间形成接地平面耦合。
14.根据权利要求13所述的方法,其中所述接地平面耦合是超导耦合。
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