[发明专利]激光照射系统在审
申请号: | 201780096121.2 | 申请日: | 2017-12-21 |
公开(公告)号: | CN111247625A | 公开(公告)日: | 2020-06-05 |
发明(设计)人: | 若林理;池上浩;老泉博昭 | 申请(专利权)人: | 极光先进雷射株式会社;国立大学法人九州大学 |
主分类号: | H01L21/22 | 分类号: | H01L21/22;H01L21/268 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 金玲;黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 激光 照射 系统 | ||
1.一种激光照射系统,其是激光掺杂和后退火用的激光照射系统,所述激光照射系统具有:
A.激光装置,其产生紫外线区域的脉冲激光;
B.载台,其使在半导体基板上形成杂质源膜而构成的被照射物在至少1个扫描方向上移动,该杂质源膜至少包含作为掺杂剂的杂质元素;以及
C.光学系统,其包含均束器,该均束器将所述脉冲激光的射束形状整形为矩形,生成沿所述扫描方向的第1射束宽度不同且与所述扫描方向垂直的第2射束宽度相同的激光掺杂用射束和后退火用射束。
2.根据权利要求1所述的激光照射系统,其中,
所述均束器根据从所述激光装置入射的所述脉冲激光,选择性地生成所述激光掺杂用射束和所述后退火用射束。
3.根据权利要求2所述的激光照射系统,其中,该激光照射系统还具有:
D.激光照射控制部,该激光照射控制部对所述均束器进行控制,对所述激光掺杂用射束与所述后退火用射束进行切换。
4.根据权利要求3所述的激光照射系统,其中,
所述均束器包含激光掺杂用的第1复眼透镜、后退火用的第2复眼透镜和使所述第1复眼透镜和第2复眼透镜移动的第1致动器,
所述激光照射控制部对所述第1致动器进行控制,将所述第1复眼透镜和第2复眼透镜中的任意一方选择性地插入到所述脉冲激光的光路上。
5.根据权利要求3所述的激光照射系统,其中,
所述均束器包含配置在所述脉冲激光的光路上的第1柱面透镜阵列、第2柱面透镜阵列、第3柱面透镜阵列和使所述第1柱面透镜阵列与所述第2柱面透镜阵列的间隔发生变化的第2致动器,
所述激光照射控制部对所述第2致动器进行控制,控制所述间隔而使所述第1射束宽度发生变化,由此,使所述均束器选择性地生成所述激光掺杂用射束和所述后退火用射束。
6.根据权利要求3所述的激光照射系统,其中,
在设所述脉冲激光的脉冲能量为Et、激光掺杂用的第1注量为Fd、后退火用的第2注量为Fp、所述第2射束宽度为By的情况下,
所述激光掺杂用射束的所述第1射束宽度Bdx满足下式(a),所述后退火用射束的所述第1射束宽度Bpx满足下式(b):
Bdx=Et/(Fd·By)…(a)
Bpx=Et/(Fp·By)…(b)。
7.根据权利要求6所述的激光照射系统,其中,
在设所述激光装置的激光振荡的反复频率为f、激光掺杂用的第1照射脉冲数为Nd、后退火用的第2照射脉冲数为Np的情况下,
激光掺杂时的所述被照射物沿所述扫描方向的移动速度即第1扫描速度Vdx满足下式(c),后退火时的所述被照射物沿所述扫描方向的移动速度即第2扫描速度Vpx满足下式(d):
Vdx=f·Bdx/Nd…(c)
Vpx=f·Bpx/Np…(d)。
8.根据权利要求1所述的激光照射系统,其中,
所述均束器根据从所述激光装置入射的所述脉冲激光,生成所述激光掺杂用射束和所述后退火用射束。
9.根据权利要求8所述的激光照射系统,其中,
所述载台在将所述激光掺杂用射束与所述后退火用射束照射到所述被照射物的状态下,使所述被照射物移动。
10.根据权利要求9所述的激光照射系统,其中,
所述载台的所述激光掺杂用射束的照射区域位于比所述后退火用射束的照射区域靠所述扫描方向的起始侧的位置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造