[发明专利]用于场效应晶体管的保护电路

权利要求书

1.保护电路（1），至少包括：第一场效应晶体管（2），其具有第一漏极端子（3）、第一源极端子（4）和第一栅极端子（5）；此外包括控制器件（6），借助于所述控制器件，所述第一漏极端子（3）与所述第一源极端子（4）之间的电气第一电压（7）是可确定的；以及还有第一温度传感器（8），借助于所述第一温度传感器，所述第一场效应晶体管（2）的变化的第一温度（9）是可检测的；其中，所述第一场效应晶体管（2）的第一电阻（10）和经由所述第一场效应晶体管（2）传导的电气第一电流（11）可由所述控制器件（6）基于所述第一温度（9）来确定。

2.根据权利要求1所述的保护电路（1），其中，所述第一场效应晶体管（2）经由所述第一漏极端子（3）连接到电压源（12），其中，第二场效应晶体管（13）布置在所述电压源（12）与所述第一场效应晶体管（2）之间；所述第二场效应晶体管具有第二漏极端子（14）、第二源极端子（15）和第二栅极端子（16）；其中，所述第二漏极端子（14）与所述第二源极端子（15）之间的电气第二电电压（17）可借助于所述控制器件（6）确定；其中，此外所述第二场效应晶体管（13）的变化的第二温度（19）可借助于所述第一温度传感器（8）或借助于第二温度传感器（18）来检测；其中，所述第二场效应晶体管（13）的第二电阻（20）和经由所述第二场效应晶体管（13）传导的电气第二电流（21）可基于所述第二温度（19）确定。

3.根据前述权利要求中任一项所述的保护电路（1），其中，所述第一源极端子（4）连接到至少一个电机（22），并且经由所述电机（22）连接到电气接地（23）。

4.根据权利要求3所述的保护电路（1），其中，第三场效应晶体管（24）布置在所述电机（22）与所述电气接地（23）之间，其中，用于确定经由所述第三场效应晶体管（24）传导的电气第三电流（26）的测量电阻器（25）布置在所述第三场效应晶体管（24）与所述电气接地（23）之间。

5.根据前述权利要求中任一项所述的保护电路（1），其中，所述电机（22）具有小于10千瓦的额定功率。

6.根据前述权利要求中任一项所述的保护电路（1），其中，通过所述改变的第一温度（9），至少所述第一电流（11）可以以小于2.0安培的准确度确定。

7.根据前述权利要求中任一项所述的保护电路（1），其中，至少所述第一温度传感器（8）经由模数转换器（29）连接到所述控制器件（6）。

8.机动车辆（27），其包括电机（22）并且包括如前述权利要求中任一项所述的保护电路（1）；其中，所述第一场效应晶体管（2）的第一漏极端子（4）至少连接到所述电机（22），并且经由所述电机（22）连接到电气接地（23）。

9.一种用于操作电路（28）的方法，所述电路包括至少一个根据前述权利要求1至7中任一项所述的保护电路（1）；至少包括以下步骤：

a) 确定所述第一漏极端子（3）与所述第一源极端子（4）之间的电气第一电压（7）；

b) 检测所述第一场效应晶体管（2）的第一温度（9）；

c) 计算经由所述第一场效应晶体管（2）传导的电气第一电流（11）。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述第一源极端子（4）连接到至少一个电机（22）并且经由所述电机（22）连接到接地（23）；其中，第三场效应晶体管（24）布置在所述电机（22）与所述接地（23）之间，其中，用于确定经由所述第三场效应晶体管（24）传导的电气第三电流（26）的测量电阻器（25）布置在所述第三场效应晶体管（24）与所述接地（23）之间；其中，在步骤i）中，确定第三电流（26），并且在步骤ii）中，在控制器件（6）中评估第一电流（11）和第三电流（26）。