[发明专利]宽带隙半导体装置

权利要求书

1.一种宽带隙半导体装置，其特征在于，包括：

第一导电型的漂移层；

由设置在所述漂移层上的第二导电型组成的阱区；

设置在所述阱区上的源极区域；

设置在所述阱区上的且电连接于栅极焊盘的栅极接触区域；以及

设置在所述阱区上的且在面方向上是设置在所述源极区域与所述栅极接触区域之间的齐纳二极管区域。

2.根据权利要求1所述的宽带隙半导体装置，其特征在于：

其中，所述齐纳二极管区域具有：超高浓度第二导电型半导体区域；以及与所述超高浓度第二导电型半导体区域相邻设置的高浓度第一导电型半导体区域，

所述栅极接触区域与所述高浓度第一导电型半导体区域相邻设置，

所述超高浓度第二导电型半导体区域被设置在比所述高浓度第一导电型半导体区域更靠近源极区域侧。

3.根据权利要求1所述的宽带隙半导体装置，其特征在于：

其中，所述栅极接触区域为超高浓度第一导电型半导体区域或高浓度第一导电型半导体区域。

4.根据权利要求1所述的宽带隙半导体装置，其特征在于：

其中，所述齐纳二极管区域与所述源极区域在面内方向上分离。

5.一种宽带隙半导体装置，其特征在于，包括：

第一导电型的漂移层；

设置在所述漂移层上的第二导电型的阱区；

设置在所述阱区上的源极区域；以及

设置在所述阱区上的次级MOSFET区域，

其中，所述次级MOSFET区域具有：一对第一导电型半导体区域；设置在所述一对第一导电型半导体区域之间的第二导电型半导体区域；以及通过次级MOSFET绝缘层来设置在所述第一导电型半导体区域以及所述第二导电型半导体区域上的，且电连接于所述栅极焊盘的次级MOSFET栅电极，

所述第一导电型半导体区域的一方电连接于源极焊盘，

所述第一导电型半导体区域的另一方电连接于栅极焊盘。

6.根据权利要求5所述的宽带隙半导体装置，其特征在于：

其中，所述第一导电型半导体区域具有高浓度第一导电型半导体区域，

所述第二导电型半导体区域具有高浓度第二导电型半导体区域。

7.根据权利要求1或5所述的宽带隙半导体装置，其特征在于：

其中，所述阱区具有：设置在所述栅极焊盘下方的一部分上的第一阱区；以及与所述第一阱区分离的第二阱区，

在所述第一阱区上设置有所述齐纳二极管区域或所述次级MOSFET区域。

8.根据权利要求7所述的宽带隙半导体装置，其特征在于：

其中，在所述第一阱区与所述第二阱区之间设置有由掺杂物浓度比所述漂移层更高的第一导电型半导体组成的分离区域。

9.根据权利要求1或5所述的宽带隙半导体装置，其特征在于，进一步包括：

层间绝缘膜；以及

设置在所述阱区与所述层间绝缘膜之间的栅极绝缘膜，

其中，所述栅极绝缘膜具有大致同一厚度。