[发明专利]宽带隙半导体装置

权利要求书

1.一种宽带隙半导体装置，其特征在于，包括：

第一导电型的漂移层；

由设置在所述漂移层上的第二导电型构成的阱区；

设置在所述阱区上的源极区域；

设置在所述漂移层以及所述阱区上的栅极绝缘膜；

设置在所述栅极绝缘膜上的栅电极；

与所述栅电极电气连接的栅极衬垫；以及

设置在连接着所述栅电极和所述栅极衬垫的栅极连接区域与所述阱区之间的场绝缘膜，

其中，所述场绝缘膜具有在面方向上延伸的凹部，

所述阱区具有与设置在所述凹部处的源极衬垫电气连接的阱接触区域。

2.根据权利要求1所述的宽带隙半导体装置，其特征在于：

其中，所述阱接触区域从所述场绝缘膜的源极区域一侧的第一边界部以大于等于传播长度的距离向源极区域的相反一侧延伸。

3.根据权利要求1所述的宽带隙半导体装置，其特征在于：

其中，所述栅电极延伸至比所述场绝缘膜的源极区域一侧的第一边界部更靠近所述源极区域的相反一侧，

所述栅电极与所述栅极衬垫在比所述第一边界部更靠近所述源极区域的相反一侧通过设置在层间绝缘膜上的栅极接触孔电气连接。

4.根据权利要求3所述的宽带隙半导体装置，其特征在于：

其中，在面方向上比所述栅极接触孔更靠近源极区域一侧的所述阱区上，设置有到达漂移层的边缘侧狭缝。

5.根据权利要求4所述的宽带隙半导体装置，其特征在于：

其中，所述边缘侧狭缝具有：在面方向上沿所述第一边界部延伸的第一边缘侧狭缝；以及设置在第一边缘侧狭缝的端部的，并且在面方向上朝与所述第一边界部相垂直的方向延伸的第二边缘侧狭缝。

6.根据权利要求3所述的宽带隙半导体装置，其特征在于：

其中，所述阱接触区域延伸至比所述栅电极的位于所述源极区域的相反一侧的端部更靠近所述源极区域的相反一侧。

7.根据权利要求6所述的宽带隙半导体装置，其特征在于：

其中，所述阱接触区域从所述栅电极的位于所述源极区域的相反一侧的端部以大于等于传播长度的距离向源极区域的相反一侧延伸。

8.根据权利要求6所述的宽带隙半导体装置，其特征在于：

其中，在面方向上比所述栅电极更靠近所述源极区域的相反一侧的所述阱区上，设置有到达漂移层的内侧狭缝。

9.根据权利要求8所述的宽带隙半导体装置，其特征在于：

其中，所述内侧狭缝具有：从所述栅电极的位于所述源极区域的相反一侧的端部以大于等于传播长度的距离向源极区域的相反一侧延伸的第二内侧狭缝。