[发明专利]结构体及其制造方法

权利要求书

1.一种结构体，其中各自包含吸氢金属元素的多个粒子被配置在固定构件中，使得所述多个粒子相互隔离，

其中所述多个粒子各自的表面的全体被所述固定构件包围，且所述固定构件包含氧化物及氮化物的至少1者，以及

其中所述固定构件包含基底与配置在所述基底的表面上的膜，

所述基底的表面与所述多个粒子的距离互相不同，

其中所述膜包含多个微晶，在所述多个微晶的晶界存在非活性气体。

2.如权利要求1的结构体，其中所述多个粒子各自具有1000nm以下的尺寸。

3.如权利要求2的结构体，其中所述多个粒子各自具有100nm以下的尺寸。

4.如权利要求1的结构体，其中所述固定构件由熔点为1400℃以上的材料所构成。

5.如权利要求1的结构体，其中在所述多个粒子中，相邻的粒子之间的距离为1nm以上且10nm以下。

6.如权利要求1的结构体，其中进一步包含配置为覆盖所述固定构件的被覆膜。

7.如权利要求1的结构体，其中所述固定构件包含MgO、ZrO₂、Y₂O₃、CaO、Al₂O₃、Si₃N₄及AlN中的至少一者。

8.一种结构体，其中各自包含吸氢金属元素的多个粒子被配置在固定构件中，使得所述多个粒子相互隔离，

其中所述多个粒子各自的表面的全体被所述固定构件包围，

其中所述固定构件包含多个微晶，在所述多个微晶的晶界存在非活性气体。

9.如权利要求8的结构体，其中所述固定构件中的所述非活性气体的含有率为0.5原子％以上。

10.一种结构体，其中各自包含吸氢金属元素的多个粒子被配置在固定构件中，使得所述多个粒子相互隔离，

其中所述多个粒子各自的表面的全体被所述固定构件包围，

其中所述固定构件包含基底与配置在所述基底上的膜，其中所述多个粒子包含沿着所述基底的表面二维状地配置并且各自接触所述基底的表面的粒子，所述二维状地配置的粒子介由所述膜而相互隔离配置，且被所述膜覆盖，并且

其中所述膜包含多个微晶，在所述多个微晶的晶界存在非活性气体。

11.如权利要求10的结构体，其中所述多个粒子各自相接在所述膜的所述多个微晶的至少1个。

12.如权利要求10的结构体，其中所述膜包含配置在所述基底上的第一膜和配置在所述第一膜上的第二膜，所述多个粒子包含沿着所述基底的表面二维状地配置以接触所述基底的表面的第一粒子，和配置在所述第一膜和所述第二膜之间的第二粒子，所述二维状地配置的第一粒子介由所述第一膜而相互隔离配置，且被所述第一膜覆盖。

13.如权利要求10的结构体，其中所述多个粒子进一步包含配置在所述基底的表面上方的粒子，以与所述基底的表面隔离。

14.如权利要求10的结构体，其中进一步包含配置为覆盖所述固定构件的被覆膜。

15.一种结构体，其中各自包含吸氢金属元素的多个粒子被配置在固定构件中，使得所述多个粒子相互隔离，

其中所述多个粒子各自的表面的全体被所述固定构件包围，

其中所述结构体包含配置为覆盖所述固定构件的被覆膜，并且

其中所述被覆膜包含多个微晶，在所述多个微晶的晶界存在非活性气体。