[发明专利]用于处理基板的基板支撑件、真空处理设备和基板处理系统有效
申请号: | 201780097049.5 | 申请日: | 2017-11-20 |
公开(公告)号: | CN111373503B | 公开(公告)日: | 2023-04-28 |
发明(设计)人: | 西蒙·刘;莱内尔·欣特舒斯特;安科·赫尔密西 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32;C23C14/50;C23C16/458;H01L21/687 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 处理 支撑 真空 设备 系统 | ||
描述了用于处理基板(101)的基板支撑件(100)。所述基板支撑件包括:支撑主体(110);以及干粘合物(120),所述干粘合物附接到所述支撑主体,所述干粘合物为所述基板提供保持布置,所述支撑主体被配置为使所述基板移动一角度而进入处理区域(170)。
技术领域
实施方式涉及一种用于真空处理的基板支撑件。本公开内容的实施方式特别地涉及:一种用于处理基板的支撑件,该支撑件具有支撑主体和附接到该支撑主体的干粘合物;一种真空处理设备,该真空处理设备包括真空腔室、在该真空腔室内的基板支撑件、以及处理站;以及一种基板处理系统。本公开内容的实施方式还涉及一种基板处理系统,该基板处理系统包括装载腔室、真空传送腔室、以及真空处理设备。
背景技术
已知用于在基板上进行层沉积的各种技术,例如热蒸发、化学气相、化学气相沉积(CVD)、以及物理气相沉积(PVD),物理气相沉积诸如溅射沉积。溅射沉积工艺可用于在基板上沉积材料层,例如绝缘材料层。这涉及将材料从靶射出到基板上。用等离子体区域中产生的离子轰击待沉积在基板上的靶材料以将靶材料的原子从靶的表面撞出。被撞出的原子可在基板上形成材料层。在反应溅射沉积工艺中,被撞出的原子可与等离子体区域中的气体(例如,氮或氧)反应,以在基板上形成靶材料的氧化物、氮化物或氮氧化物。
涂覆材料可用于若干应用和若干技术领域。例如,涂覆材料可用于微电子领域,诸如用于生成半导体器件。另外,用于显示器的基板可使用物理气相沉积工艺进行涂覆。另外的应用包括绝缘面板、有机发光二极管(OLED)面板、具有薄膜晶体管(TFT)的基板、滤色片或类似者。
朝具有更复杂且更薄的涂层的更大的基板的趋势造成更大的工艺模块。直列地连接的竖直工艺模块因占地面积、冗余和成本问题而具有一些缺点。在竖直工艺位置中,玻璃与掩模对准,以避免在玻璃边缘上和/或在背面上涂覆并密封工艺室以使其与玻璃搬运区域隔开。在工艺期间,夹具在基板的边缘上保持该基板。这会因玻璃掩模对准(遮蔽效应)而导致颗粒和均匀性问题、以及在夹具上的侧面沉积。
鉴于上述,需要的是提供改进本领域中的问题的至少一些方面的用于保持基板的保持布置、工艺系统、以及用于保持和处理基板的方法。
发明内容
鉴于上述,提供了一种用于基板处理的基板支撑件、一种真空处理设备、用于处理基板的方法、以及一种基板处理系统。
根据一个实施方式,提供了一种用于处理基板的基板支撑件。所述基板支撑件包括:支撑主体;以及干粘合物,所述干粘合物附接到所述支撑主体,所述干粘合物为所述基板提供保持布置,所述支撑主体被配置为使所述基板移动一角度而进入处理区域。
根据另一个实施方式,提供了一种用于处理基板的基板支撑件。所述基板支撑件包括:支撑主体;干粘合物,所述干粘合物在所述支撑主体处;以及致动器,所述致动器使所述支撑主体围绕轴移动进出处理区域。
根据另一个实施方式,提供了一种真空处理设备。所述真空处理设备包括:真空腔室;基板支撑件,所述基板支撑件在所述真空腔室内;以及处理站。所述基板支撑件包括:支撑主体;干粘合物,所述干粘合物在所述支撑主体处;以及致动器,所述致动器使所述支撑主体围绕轴移动到所述处理站的前面以及使所述支撑主体围绕轴远离所述处理站移动。
根据另一个实施方式,提供了一种基板处理系统。所述基板处理系统包括装载模块、真空传送腔室和根据本文所描述的实施方式的真空处理设备。
附图说明
为了能够详细地理解上述特征的方式,可参考实施方式来获得上文简要地概述的更特定的描述。附图涉及实施方式并在下图中描述:
图1示出了保持基板并将基板移动于处理区域中的基板支撑件的示意性侧视图;
图2示出了包括干粘合物结构的示例性基板支撑件的示意性侧视截面图;
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