[发明专利]半导体装置、半导体部件以及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

第一电极；

第二电极；以及

半导体层，包含：被设置为将所述第一电极与所述第二电极之间流通的电流包围的第一绕组部、以及与所述第一绕组部的末端部连接，并从所述第一绕组部的末端部绕回至起始端侧的第二绕组部，

其中，所述第一绕组部和所述第二绕组部埋设在所述半导体层内，

在面方向上，所述第二绕组部配置在所述第一绕组部的远离所述电流流动的中心的边缘的外部，或者，在面方向上，所述第一绕组部配置在所述第二绕组部的远离所述电流流动的中心的边缘的外部，

所述第一绕组部和所述第二绕组部被配置为嵌套结构。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

其中，所述第一绕组部的厚度与所述第二绕组部的厚度实质上为相同值。

3.一种半导体部件，具备半导体层，其特征在于：

所述半导体层包括：

第一绕组部；以及

与所述第一绕组部的末端部连接，并从所述第一绕组部的末端部绕回至起始端侧的第二绕组部，

所述半导体层被配置为将流通测定对象的电流包围，

其中，所述第一绕组部和所述第二绕组部埋设在所述半导体层内，

在面方向上，所述第二绕组部配置在所述第一绕组部的远离所述电流流动的中心的边缘的外部，或者，在面方向上，所述第一绕组部配置在所述第二绕组部的远离所述电流流动的中心的边缘的外部，

所述第一绕组部和所述第二绕组部被配置为嵌套结构。

4.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

在半导体层上部分形成第一绝缘膜的工序；

利用所述第一绝缘膜形成沟槽的工序；

在所述沟槽的内侧壁以及内底面形成第二绝缘膜的工序；

在形成有所述第二绝缘膜的沟槽内以及所述第一绝缘膜上配置导电性材料的工序；

通过将所述导电性材料图案化，形成第一绕组部以及第二绕组部的工序；以及

利用第三绝缘膜覆盖所述第一绕组部以及所述第二绕组部的工序，

其中，所述第二绕组部与所述第一绕组部的末端部连接，并从所述第一绕组部的末端部绕回至起始端侧，

所述第一绕组部和所述第二绕组部埋设在所述半导体层内，

在面方向上，所述第二绕组部配置在所述第一绕组部的远离电流流动的中心的边缘的外部，或者，在面方向上，所述第一绕组部配置在所述第二绕组部的远离所述电流流动的中心的边缘的外部，

所述第一绕组部和所述第二绕组部被配置为嵌套结构。