[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具有沟道，所述半导体装置具备：

半导体基板，具有第1主面和与所述第1主面相反的第2主面，该半导体基板具有与所述第2主面平行的面内方向；

漏极电极，设置于所述半导体基板的所述第1主面上；

漂移层，设置于所述半导体基板的所述第2主面上，具有第1导电类型；

阱区域，设置于所述漂移层上，具有与所述第1导电类型不同的第2导电类型，具有形成所述半导体装置的所述沟道的部分；

阱接触区域，设置于所述阱区域上，具有所述第2导电类型，具有比所述阱区域的电阻率低的电阻率；

源极接触区域，被所述阱区域从所述漂移层隔开而设置于所述阱区域上，具有所述第1导电类型；

源极电阻区域，被所述阱区域从所述漂移层隔开而设置于所述阱区域上，在所述面内方向上与所述源极接触区域邻接，具有所述第1导电类型，具有比所述源极接触区域的片电阻高的片电阻；

栅极绝缘膜，覆盖所述阱区域的所述沟道；

栅极电极，设置于所述栅极绝缘膜上；以及

源极电极，与源极接触区域、阱接触区域以及源极电阻区域相接，至少经由所述源极电阻区域连结于所述沟道。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述半导体装置具有包括所述栅极绝缘膜的绝缘层，在所述绝缘层设置有接触孔，该接触孔埋入有所述源极电极，所述接触孔具有横切所述源极电阻区域的外周。

3.根据权利要求1或者2所述的半导体装置，其特征在于，

所述沟道沿着所述面内方向延伸。

4.根据权利要求1或者2所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体装置设置有具有贯通所述阱区域而到达所述漂移层的侧壁的沟槽，所述沟道配置于所述侧壁上。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，还具备：

沟槽底部保护区域，设置于所述沟槽的底部，具有所述第2导电类型；以及

沟槽侧壁保护区域，设置于所述沟槽的所述侧壁的一部分，与所述沟槽底部保护区域及所述阱区域相接，具有所述第2导电类型。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

在俯视时所述沟槽侧壁保护区域的至少一部分被配置成与所述阱接触区域邻接或者重叠。

7.根据权利要求1至6中的任意一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体装置还具备源极延展区域，该源极延展区域与所述源极电阻区域邻接，远离所述源极接触区域，被所述阱区域从所述漂移层隔开，具有所述第1导电类型，所述源极电阻区域经由所述源极延展区域连结于所述沟道。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，

所述源极电阻区域以及所述阱接触区域分别在面内方向上配置于所述源极接触区域与所述源极延展区域之间。

9.根据权利要求1至8中的任意一项所述的半导体装置，其特征在于，

在所述面内方向上所述源极电阻区域与所述阱接触区域邻接。

10.根据权利要求1至9中的任意一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述源极电阻区域具有配置于所述阱区域上的第1部分和配置于所述第1部分上的第2部分，所述第1部分的电阻率比所述第2部分的电阻率低。

11.根据权利要求1至10中的任意一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述阱接触区域被配置成不具有仅经由所述栅极绝缘膜而与所述栅极电极相接的部分。

12.根据权利要求1至11中的任意一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述源极电极与所述源极电阻区域之间的接触电阻比所述源极电极与所述源极接触区域之间的接触电阻大10倍以上。