[发明专利]成膜方法及成膜装置

权利要求书

1.一种成膜方法，在靶材的附近配置撞击器的放电部而诱发电弧放电，利用由此产生的等离子体在基板上形成膜，其特征在于，所述成膜方法包括：

变更工序，将通过所述撞击器诱发电弧放电的位置在所述靶材的设定的区域中进行变更；

成膜工序，利用通过在所述位置引起电弧放电而产生的等离子体，在基板上形成膜；以及

缩小工序，根据所述靶材的使用而缩小所述区域，

在重复了包括所述变更工序和至少1次所述成膜工序的循环后，实施所述缩小工序，之后重复所述循环，

在所述缩小工序中，缩小所述区域以使缩小后的所述区域落入缩小前的所述区域，

在所述变更工序中，通过使所述靶材转动而变更所述位置，通过使所述靶材在与所述靶材的旋转轴平行的方向上移动而进一步变更所述位置。

2.根据权利要求1所述的成膜方法，其特征在于，

在所述缩小工序中，在所述方向上缩小所述区域。

3.根据权利要求1或2所述的成膜方法，其特征在于，

在所述变更工序中，根据通过在所述方向上的所述靶材的位置被固定的状态下使所述靶材转动多次而使所述靶材旋转的次数，变更所述方向上的所述靶材的位置。

4.根据权利要求1或2所述的成膜方法，其特征在于，

在所述变更工序中，根据所述放电部与所述靶材接触时的所述撞击器的转动角度，变更所述方向上的所述靶材的位置。

5.根据权利要求1或2所述的成膜方法，其特征在于，

在所述变更工序中，根据输送的等离子体量而变更所述方向上的所述靶材的位置。

6.一种成膜装置，在靶材的附近配置撞击器的放电部而诱发电弧放电，利用由此产生的等离子体在基板上形成膜，其特征在于，所述成膜装置具备：

变更机构，其变更通过所述撞击器诱发电弧放电的位置；以及

控制部，其控制所述变更机构以使所述位置在所述靶材的设定的区域中变更，

所述控制部根据所述靶材的使用而阶段性地缩小所述区域以使缩小后的所述区域落入缩小前的所述区域。