[其他]半导体封装件及功率模块

说明书

本申请涉及半导体封装件及功率模块。半导体封装件的实施方式可包括：第一基底，所述第一基底具有耦接在第一金属层与第二金属层之间的第一介电层；第二基底，所述第二基底具有耦接在第三金属层与第四金属层之间的第二介电层。第一管芯可与第一电间隔件耦接，所述第一电间隔件耦接在所述第一基底与所述第二基底之间的空间中并与所述第一基底和所述第二基底耦接，并且第二管芯可与第二电间隔件耦接，所述第二电间隔件耦接在所述第一基底与所述第二基底之间的空间中并与所述第一基底和所述第二基底耦接。

相关专利申请的交叉引用

本文件要求授予Zschieschang等人的名称为“Module with multiplesubstrates”(具有多个基底的模块)的美国临时专利申请62/351,589的提交日期的权益，该申请提交于2016年6月17日，该申请的公开内容据此全文以引用方式并入本文。

技术领域

本文件的各方面整体涉及半导体封装件及功率模块，诸如用于汽车的功率模块。

背景技术

常规地，半导体封装件可能需要在操作时承受大量的发热和发电。热的累积可能会不利地影响半导体封装件的功能和结构。

实用新型内容

半导体封装件的实施方式可包括：第一基底，该第一基底具有耦接在第一金属层与第二金属层之间的第一介电层；第二基底，该第二基底具有耦接在第三金属层与第四金属层之间的第二介电层，并且第一管芯可与第一电间隔件耦接，该第一电间隔件耦接在第一基底与第二基底之间的空间中并与第一基底和第二基底耦接。第二管芯可与第二电间隔件耦接，该第二电间隔件耦接在第一基底与第二基底之间的空间中并与第一基底和第二基底耦接。

半导体封装件的实施方式可包括以下各项中的一项、全部或任一项：

第一介电层可包括延伸超过第一金属层的长度和第二金属层的长度的延伸部，其中第一金属层的长度和第二金属层的长度相同；并且第二介电层可包括延伸超过第三金属层的长度和第四金属层的长度的延伸部，其中第三金属层的长度和第四金属层的长度相同。

第一介电层可包括可延伸超过第一金属层的长度和第二金属层的长度的延伸部，其中第一金属层的长度和第二金属层的长度相同，并且其中第三金属层的长度和第四金属层的长度相同。第一介电层的延伸部分可以延伸超过第三金属层的长度和第四金属层的长度。第二介电层的延伸部分可以延伸超过第一介电层的延伸部的长度。第三金属层和第四金属层的长度延伸超过第一金属层和第二金属层的长度。

第一电间隔件可与第二金属层耦接，第一管芯可与第三金属层耦接，第二电间隔件可与第三金属层耦接，并且第二管芯可与第二金属层耦接。

第一电间隔件和第二电间隔件两者可与第三金属层耦接，并且第一管芯和第二管芯两者与第二金属层耦接。

基底可以通过两个或更多个弹簧相对于模塑装置偏置。

第一管芯和第二管芯可包括以下各项中的一者：双极性结型晶体管(BJT)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)、超结场效应晶体管(FET)、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件、碳化硅(SiC)器件、SiC BJT、二极管、肖特基二极管以及它们的组合。

电间隔件可通过焊料与管芯耦接。