[发明专利]RFeB系磁体有效

专利信息
申请号: 201810001024.7 申请日: 2014-03-13
公开(公告)号: CN108269666B 公开(公告)日: 2019-12-06
发明(设计)人: 佐川真人;高木忍;桥野早人 申请(专利权)人: 因太金属株式会社;大同特殊钢株式会社
主分类号: H01F1/057 分类号: H01F1/057
代理公司: 11277 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人: 刘新宇;李茂家<国际申请>=<国际公布>
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 矫顽力 重量百分率 基材表面 晶界扩散 涂布物 稀土 剥离
【说明书】:

本发明课题在于提供晶界扩散处理时涂布物不从基材表面剥离、能够提高矫顽力的RFeB系磁体。所述RFeB系磁体,其特征在于,其为以含有稀土类R、铁Fe以及硼B的R2Fe14B为主相的RFeB系磁体,将Tb和Dy的重量百分率分别设为x1、x2,将室温下的矫顽力HcJ以kOe的单位表示,满足下述关系:0<x1≤0.5、0≤x2,且HcJ≥20.8×x1+2×x2+14.7。

本申请是申请日为2014年3月13日、申请号为201480016944.6、发明名称为“RFeB系磁体制造方法、RFeB系磁体以及晶界扩散处理用涂布物”的申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及以R2Fe14B作为主相的RFeB系磁体(R为稀土元素)的制造方法。尤其是涉及如下的方法:在RFeB系磁体的主相含有以Nd和Pr中的至少一种作为主要稀土元素(以下,将这两种稀土元素总称为“轻稀土元素RL”)的主相晶粒的表面附近,使Dy、Tb以及Ho中的至少一种的稀土元素(以下,将这三种稀土元素总称为“重稀土元素RH”)通过该主相晶粒的晶界而扩散的方法。另外,本发明涉及利用该方法制作的RFeB系磁体及在该方法中使用的晶界扩散处理用涂布物。

背景技术

RFeB系磁体于1982年被佐川(本发明人)等发现,其具有残留磁通密度等多种磁特性远高于以往的永久磁体的特长。因此,RFeB系磁体被用于混合动力汽车、电动汽车的驱动用马达、电动辅助型自行车用马达、产业用马达、硬盘等的音圈马达、高级扬声器、耳机、永久磁体式核磁共振诊断装置等各种产品中。

初始的RFeB系磁体具有各种磁特性中的矫顽力HcJ比较低这样的缺点,但是后来明确了:通过使RFeB系磁体的内部存在重稀土元素RH而变得难以产生反向磁畴,由此提高矫顽力。反向磁畴具有以下特性:在对RFeB系磁体施加与磁化的方向相反的方向的磁场时,最初在晶粒的晶界附近产生,并由该处向晶粒的内部和邻接的晶粒逐渐扩散。因此,需要在最初防止反向磁畴的产生。为此,只要RH存在于晶粒的晶界附近即可,由此可以防止在晶粒的晶界附近产生反向磁畴。另一方面,RH的含量增加时,存在残留磁通密度Br降低,由此最大磁能积(BH)max也降低之类的问题。另外,从RH稀少、且出产的地域不均匀之类的方面出发,也不希望增加RH的含量。因此,为了极力抑制RH的含量、且提高矫顽力(使反向磁畴难以形成),理想的是使晶粒的表面(晶界)附近存在比内部更高浓度的RH

专利文献1和2中记载了:通过使含有RH或RH化合物的粉末等附着于RFeB系磁体的表面,将该RFeB系磁体连同涂布物一起加热,由此使RH的原子通过该RFeB系磁体的晶界扩散至晶粒的表面附近。如此使RH的原子通过晶界扩散至晶粒的表面附近的方法被称为“晶界扩散法”。此后,将实施晶界扩散处理前的RFeB系磁体称为“基材”,区别于实施了晶界扩散处理后的RFeB系磁体。

专利文献1中,仅仅使含有RH或RH化合物的粉末、箔接触基材的表面,因此粉末、箔与基材之间的附着力弱,不能使充分量的RH原子扩散至RFeB系磁体的晶粒的表面附近。与此相对,专利文献2中,将使RH或RH化合物的粉末分散于有机溶剂而成的涂布物涂布于基材的表面。通过使用这样的涂布物,能够使对RFeB系磁体的附着力比(仅)粉末、箔提高,因此能够使更多的RH原子扩散至RFeB系磁体的晶粒的表面附近。

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