[发明专利]存储装置及其操作方法

说明书

存储装置及其操作方法。一种存储装置包括：多个存储单元；多条位线，多条位线连接到所述多个存储单元；以及多个页缓冲器，多个页缓冲器通过所述多条位线联接到所述多个存储单元，并且对所述多个存储单元执行读取操作，其中，所述多个页缓冲器中的每一个包括：第一锁存器，该第一锁存器在所述读取操作期间控制位线预充电操作；以及第二锁存器，该第二锁存器存储第一感测操作的结果和在所述第一感测操作之后执行的第二感测操作的结果，其中，当所述第一感测操作的结果和所述第二感测操作的结果在所述第二感测操作期间彼此不同时，存储在所述第二锁存器中的值被反转。

技术领域

本发明的各种实施方式总体涉及存储装置及其操作方法，更具体地，涉及一种用于存储装置的读取操作中的电源噪声减小的装置及其读取方法。

背景技术

存储装置可包括联接到单个字线的多个存储单元，并且存储单元中的每一个可通过位线联接到页缓冲器。通过使用页缓冲器，可暂时存储从存储单元感测到的数据，并且可输出所存储的数据。以这种方式，可执行读取操作。

读取操作可包括一个或更多个感测操作。可在读取操作期间对联接到单个字线的多个存储单元同时执行感测操作。然而，在多个存储单元的感测操作期间可消耗大量的电流。消耗的大量电流可产生存储装置的内部电源电压或内部接地电压上的噪声。然而，内部电源电压或内部接地电压上的这种噪声可导致感测操作中的错误，这会劣化存储装置的可靠性。

发明内容

各种实施方式针对一种具有提高的可靠性的存储装置以及一种用于操作该存储装置的方法。

根据一个实施方式，一种存储装置可包括：多个存储单元；多条位线，所述多条位线连接到所述多个存储单元；以及多个页缓冲器，所述多个页缓冲器通过所述多条位线联接到所述多个存储单元，并且对所述多个存储单元执行读取操作，其中，所述多个页缓冲器中的每一个包括：第一锁存器，该第一锁存器在所述读取操作期间控制位线预充电操作；以及第二锁存器，该第二锁存器存储第一感测操作的结果和在所述第一感测操作之后执行的第二感测操作的结果，其中，当所述第一感测操作的结果和所述第二感测操作的结果在所述第二感测操作期间彼此不同时，存储在所述第二锁存器中的值被反转。

根据另一实施方式，一种存储装置可包括：多个存储单元；以及多个页缓冲器，所述多个页缓冲器对所述多个存储单元执行读取操作，其中，所述多个页缓冲器中的每一个包括锁存器，该锁存器在所述读取操作期间存储第一感测操作的结果和在所述第一感测操作之后的第二感测操作的结果，并且其中，所述第一感测操作的目标阈值电压大于所述第二感测操作的目标阈值电压。

根据另一实施方式，一种用于操作存储装置的方法可包括以下步骤：对联接至存储单元的位线进行预充电；对所述存储单元执行第一感测操作，并且将通过所述第一感测操作的感测值作为第一值存储在锁存器中；以及对所述存储单元执行第二感测操作，并且将通过所述第二感测操作的感测值作为第二值存储在所述锁存器中，其中，当所述第一值和所述第二值在所述第二感测操作期间彼此不同时，存储在所述锁存器中的值被反转。

附图说明

图1是例示根据实施方式的存储系统的图。

图2是例示图1所示的存储装置的图。

图3是例示图2所示的存储块的图。

图4是例示三维结构的存储块的实施方式的图。

图5是例示三维结构的存储块的另一实施方式的图。

图6是例示联接到页缓冲器的内部电源电压和内部接地电压的寄生电阻的图。

图7是例示常规读取操作方法的图。

图8是例示常规页缓冲器的图。

图9是例示图8所示的页缓冲器执行图7所示的读取操作的操作的定时图。

图10是例示常规页缓冲器的图。