[发明专利]具有质量调整结构的体声波共振器的制造方法有效
申请号: | 201810002610.3 | 申请日: | 2018-01-02 |
公开(公告)号: | CN108270414B | 公开(公告)日: | 2021-06-22 |
发明(设计)人: | 张家达;魏君如;翁国隆 | 申请(专利权)人: | 稳懋半导体股份有限公司 |
主分类号: | H03H9/02 | 分类号: | H03H9/02;H03H9/17;H03H3/02 |
代理公司: | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人: | 孙皓晨;李林 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 质量 调整 结构 声波 共振器 制造 方法 | ||
1.一种具有质量调整结构的体声波共振器的制造方法,其特征是包括以下步骤:
步骤D1:形成一牺牲结构台面在一基板之上,其中该牺牲结构台面分成复数个区部;
步骤D2:蚀刻该牺牲结构台面使得该牺牲结构台面的该复数个区部的任两相邻者具有不同的高度,其中该牺牲结构台面的一最高区部具有一最高台面顶表面,其中一台面顶延伸平面与该最高台面顶表面重合;
步骤D3:形成一绝缘层于该牺牲结构台面以及该基板之上;
步骤D4:以一化学机械平坦化制程研磨该绝缘层以形成一抛光表面;
步骤D5:形成一体声波共振结构于该抛光表面之上,其中该体声波共振结构位于该牺牲结构台面的上方,其中该步骤D5包括以下步骤:
步骤D51:形成一底电极层于该抛光表面之上;
步骤D52:形成一压电层于该底电极层之上;以及
步骤D53:形成一顶电极层于该压电层之上;以及
步骤D6:蚀刻该牺牲结构台面以形成一空腔,其中该空腔位于该体声波共振结构的下方;
其中在该步骤D4中:(1)该绝缘层被研磨至使得该牺牲结构台面未露出,其中位于该体声波共振结构之下、该空腔之上且介于该抛光表面以及该台面顶延伸平面之间的该绝缘层形成一频率调谐结构,其中位于该体声波共振结构之下且介于该台面顶延伸平面以及该空腔之间的该绝缘层形成一质量调整结构;或(2)该绝缘层被研磨至使得该牺牲结构台面露出,其中位于该体声波共振结构之下且介于该抛光表面以及该空腔之间的该绝缘层形成一质量调整结构。
2.根据权利要求1所述的具有质量调整结构的体声波共振器的制造方法,其特征在于:在该步骤D4之后该牺牲结构台面的该复数个区部具有一几何构形;其中该牺牲结构台面的该几何构形相关于该质量调整结构的一几何构形;从而凭借调整该牺牲结构台面的该几何构形以调整该质量调整结构的该几何构形以增强该体声波共振器的一品质因子。
3.根据权利要求1所述的具有质量调整结构的体声波共振器的制造方法,其特征在于:该基板是一半导体基板,其中构成该牺牲结构台面的材料包括选自以下群组的至少一者:金属、合金以及磊晶结构。
4.根据权利要求3所述的具有质量调整结构的体声波共振器的制造方法,其特征在于:该基板是一化合物半导体基板,其中该步骤D1包括以下步骤:
步骤D11:形成一牺牲结构于该基板之上;以及
步骤D12:蚀刻该牺牲结构以形成该牺牲结构台面。
5.根据权利要求4所述的具有质量调整结构的体声波共振器的制造方法,其特征在于:(1)该基板由砷化镓所构成该牺牲结构包括一砷化镓层;或(2)该基板由磷化铟所构成该牺牲结构包括一砷化铟镓层。
6.根据权利要求5所述的具有质量调整结构的体声波共振器的制造方法,其特征在于,在步骤D11之前还包括以下的一步骤:形成一底蚀刻终止层于该基板之上,在步骤D11中该牺牲结构形成于该底蚀刻终止层之上;其中(1)该底蚀刻终止层由磷化铟镓所构成;或(2)该底蚀刻终止层由磷化铟所构成。
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